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采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的正交结构.生长时间、衬底和蒸发源的间距对纳米片的尺寸有显著的影响.生长时间越长,衬底和蒸发源间距越小,纳米片的尺寸越大. 相似文献
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研究了粒度为300nm、1μm和10μm的三组钛酸钡陶瓷在电解液中分别浸泡Oh、24h和48h的介电性能,结果表明,水浸泡处理会使小粒度陶瓷样品(300nm和1μm)的介电性能发生明显劣化,而大粒度的样品(10μm)则表现出了较好的稳定性,这是由小粒度陶瓷样品的尺寸效应所引起的. 相似文献
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电气仿真是电站全范围仿真不可或缺的一部分,它在培训电站运行人员和电力负荷调度方面扮演着积极的角色。电气仿真在电站中的应用已逐渐展开,它所凸现出的经济性、安全性日趋明显,以下就某电站的电气仿真作出实例性的说明。 相似文献
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傅军 《广西师范学院学报(自然科学版)》2001,18(1):32-35
利用力常数可表成张量形式计算动力学矩阵D(-↑K),讨论了长波限下氯化铯晶体格波的运动特征。 相似文献
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根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响. 相似文献
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根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚... 相似文献