SD—5菌株原生质体形成与再生条件的研究

探讨了培养基成分、培养时间、高渗缓冲液成分和ｐＨ、溶菌酶浓度以及酶解温度和时间对苏云金杆菌ＳＤ－５菌株原生质体形成和再生的影响；结果表明，ＳＤ－５菌株原生质形成和再生的最佳条件组合为：ＰＢＧ培养基、３０℃培养１４ｈ再活化５ｈ，以ＳＭＭｐＨ６．５作酶解缓冲液，溶菌酶浓度０．６ｍｇ／ｍｌ，３４℃处理６０ｍｉｎ。     

基本有机合成化学和工艺的成就

基本有机合成或重有机合成是近代化学工业中的主导领域之一。这一领域包括:合成那些能够作为所有其它有机化学工业部门的原料的有机化合物(如合成橡胶、合成树脂、人造纤维、油漆等的原料),以及合成许多其它工业部门所用的材料,例如溶剂、润滑油和发动机燃料中用的特种添加剂、洗涤剂、浮选剂、合成脂肪、增塑剂、杀虫杀菌剂等等。应当指出,重有机合成产物的品种是不断的扩展着,而且其中好些种产物的年产量常达好几十万吨。例如,全世界丁二烯、甲醛、烃基苯的生产都超过百万吨,氧化乙烯、合成酚、合成酒精、丙酮、乙醚等的年产量也在百万吨左右。有几种基本有机合成产品(如合成汽油和发动机燃料的高辛烷值的添加剂)的产量如此之大,以致可以把它们看作与燃料工业相衔接的独立部门。基本有机合成这种蓬勃的发展是由最近三四十年内各技术和工业部门的迅速发展所     

婴幼儿腹泻

婴幼儿腹泻是婴幼儿时期发病数较高的疾病之一,也是婴幼儿死亡的原因之一,发病数以夏秋季最高,发病年龄大多在两岁以下,临床以腹泻为主症,蛋花汤样便,水样便或(和)带有不消化食物残渣及粘液等,若病情严重或治疗不方可致津液耗竭伤阴伤或阴阳阳俱伤等危重征候,如迁延不疗可致小儿脾胃重损,运化失宜,气血耗伤,肌肤失养等,影响小儿生长发     

水库水位降落时心墙式土坝上游坝壳中自由水面位置的理论计算

研究坝身浸润曲面问题是土坝设计中的重要问题之一。对于心墙式土坝的浸润曲面问题是由下列情况产生的,当水库中的水位下降时,坝壳内渗透水下降要比水库中的水下降慢得多,因此当水库中的水位降落时坝内的水与水库中的水形成悬殊的水位差,这水位差就会对坝坡产生很大的压力,直接影响坝坡的稳定性。如坝坡过陡就会有被崩塌的危险;如坝坡偏于平缓,则造成浪费(浪费土方、人力),不符合多快好省的原则。为了解决这个矛盾,我们必须了解水库水位下降过程中坝壳内浸面位置的变化规律,从而求出比较合理的计算法,以便设计经济可靠的坝型。     

井式溢洪道进水口型式的选择

上学期水能利用专业的研究生进行毕业设计时,会发生过井式溢洪道设计的问题,当时苦於缺乏资料,遭遇到困难。本院前苏联顾问拉莱专家因病回国后对於所培养研究生的学习仍然十分关切。他最近特从苏联寄来会发表在列宁格勒工业大学学刊上的这篇论文。文中所研究的关於井式溢洪道设计的新理论对於水利工程建设方面具有很重大的实际意 义,我们除译出转载外,同时对苏联专家这种伟大的国际主义精神表示至诚的谢意。     

钛的相互作用势的构建

通过最小二乘法,拟合了一套六方密堆积结构（HCP）钛的解析型键序相互作用势（BOP）,并用分子动力学方法测试了钛的结构稳定性,根据测试的结果得出该势函数能较好地再现钛的结构稳定性和力学性质。     

脉冲电流参数对锌铁合金沉积物织构和晶粒尺寸的影响

采用x-射线衍射等方法研究焦磷酸盐镀液中方波脉冲电沉积形成的锌铁合金镀层的织构、晶粒尺寸和显微硬度,实验结果表明,在本实验条件下,脉冲电流参数对合金电沉积层的化学组成影响不大,而对沉积物的织构、晶粒尺寸和显微硬度有较明显的影响,通过调制脉冲频率或占空因数不仅可电沉积出ε-相的合金镀层,而且可获得高择优取向的电沉积层。     

含内裂纹的圆柱体扭转应力强度因子

本文对内部任意位置出现纵向穿透直线裂纹的圈柱体扭转问题,用复变函数方法进行了讨论,得到了用级数表示的位移分量、应力分量、扰扭刚度和应力强度因子的一般表示式,给出了计算应力强度因子的近似式,附表中还列出了大量的应力强度因子之值。与精确值相比,近似式给出好的近似,在很大的范围内,其相对误差的绝对值远小于或小于1％,可用于实际工程计算。     

MgSiO3后钙钛矿在三轴应力场中的第一原理模拟及地球物理学应用

MgSiO3后钙钛矿具有明显的弹性各向异性,可以解释地球核幔边界D″层中地震波的不连续性等现象,但目前的研究对晶格优选方位的机理一直没有好的解释.针对复杂的D″层应力环境中晶体特性与应力场和晶轴取向的密切关联,引入三轴应力场对矿物性质进行约束,模拟应力场状态下后钙钛矿相弹性性质,通过最小能量原理获得稳定的晶体空间取向类型.对具有最小能量类型的晶体弹性常数和地震波速研究发现,晶体a轴取向平行于最大压缩方向;以b轴为垂直对称轴的剪切波横向各向异性(横向各向同性平均)大于静水力场中的剪切波横向各向异性.结果支持以(010)为主滑移面的观点,为D″层各向异性和晶体取向研究提供新的数据和证据.