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221.
()李克智  ()于建患 《科学通报》1998,43(13):1454-1455
强力旋压技术目前已广泛应用于航空航天和兵器等工业生产中,它是制造大型薄壁回转体零件的主要方法之一[1].旋压加工属于局部渐进变形,变形分布很不均匀[2],致使旋压成形后工件内存有大小不等的残余应力,它是导致旋压件破裂的主要原因.旋压过程中,工艺参数较多,影响因素复杂,用实验的方法找出诸多因素对残余应力分布的影响规律,不但时间长,而且费用惊人.用弹塑性有限元法预测筒形旋压件残余应力的大小及其分布,在国内外尚未见报道.本文用自行开发的三维大变形弹塑性有限元模拟系统成功地对筒形旋压件残余应力的大小及其分布进行了预测,这为…  相似文献   
222.
Gsα是与激活腺苷酸环化酶信号转导途径相关的蛋白质,不同的GsαmRNA是由不同形式的剪接或利用不同的启动子产生的。报道人白血病细胞株中Gsα转录物的一种新型民学剪接。以来自Jurkat细胞株的人白血病文库cDNA及人白血病细胞株HL-60mRNA反转录后的cDNA第一链模板,PCR扩增出Gsα基因完整编码区,DNA序列分析表明,GsαLeu与正常Gsα相比有2个区域发生不改变阅读框架的缺失,一个  相似文献   
223.
()张启芳  ()喆生  ()施倪承 《科学通报》1998,43(18):2000-2005
绿辉石的化学式可以表示为(MⅡ)(MⅠ)(Si,Al)2O6,MⅡ位代表Ca或Na,Na/(Na+Ca)值在0.2-0.8之间。MⅠ位代表八面体配位的阳离子Mg,Fe^21+,Al,Fe^3+,Al/(Al+Fe^3+)〈0.5。已发现绿辉石的空间群有C2/c,P2,P2/n,P2/c,晶胞参数:a0=9.600-9.630A,b0=8.750-8.830A,c0=5.230-5.290A,β=1  相似文献   
224.
YCΩ2n是易项     
()赵希顺  ()王驹 《科学通报》1998,43(12):1267-1269
证明了如下结果:对任意的n≥1,YcΩ2n是易项,即对任λ项M,λβ+YcΩ2n=M是协调的。其中Yc是Curry不动点组合子,Ω2n=ω2nω2n,ω2n=λx.xx…x(λx之后x有2n次出现)。从而,部分证明了Jacopini提出的如下问题:对任意的n≥2,YcΩn是易项。  相似文献   
225.
sp18单克隆抗体对小鼠体外受精和胚胎发育的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
免疫印迹显示,抗牛精子sp18族膜蛋白的单克隆抗体与小鼠精子14,18,22,30和60ku5条带有较弱的抗原信号,同时,sp18单抗也能结合鸡卵溶菌酶。间接免疫荧光证实小鼠精子头后部存在sp18抗原。获能2h的小鼠精子与0.182mg/mL的sp18单抗共孵育15 ̄20min后进行体外受精,结果发现,单抗组的受精率(77.1%),与血清对照组(79.2%)和空白对照组(80.3%)间无显著差异(  相似文献   
226.
用不同种类不同浓度的酸对单矿物进行阶段淋滤,可以将处于不同晶格位置上的放射成因Pb及普通Pb按不同比例依次淋滤出来,对同一矿物相的阶段溶解产物进行Pb同位素组成测定,从而获得其Pb-Pb等时线年龄,该年龄代表了矿物的形成年龄。  相似文献   
227.
()欧阳舒  ()朱怀诚  ()王蕙 《科学通报》1998,43(11):1202-1206
龙首山二叠纪孢粉植物群 ,在早二叠世 (山西组 +下石盒子组 )是以欧美 华夏共有成分为主 ,以蕨类 种子蕨孢子占优势为特征 .但在下石盒子组裸子植物得到较大发展 ,至晚二叠世早期 (红泉组或上石盒子组 )可能已占主导地位 ,到晚二叠世晚期 (大泉组或石千峰组 )仍颇丰富 ,显示出浓厚的亚安加拉区色彩 .研究表明 ,此区二叠纪经历了华夏植物群由盛到衰、安加拉特别是亚安加拉植物由少到多的过程.  相似文献   
228.
别藻蓝蛋白聚集体中的色素耦合模型   总被引:2,自引:0,他引:2  
对别藻蓝蛋白 (APC)的亚基、单体、三聚体的电子吸收光谱及其色素耦合模型进行了详细研究 .APC单体的电子吸收光谱近似地为α亚基和 β亚基电子吸收光谱之线性叠加 ;而APC三聚体 (αβ)3 的电子吸收光谱不再是两个亚基电子吸收光谱的线性叠加 ,在 6 5 0nm处出现了新的吸收峰 .现今的“二聚体模型”和“三聚体模型”都不能很好地解释该结果 .我们的模型仅忽略距离最远的不同单体的α_PCB的激子相互作用 ;并采用群论理论对其进行描述 ;分析结果不仅解释了APC三聚体在 6 5 0nm处新的吸收峰的出现 ,而且解释了在可见光区它至少有 3个本征跃迁.  相似文献   
229.
应用同步辐射 (h ν =100 eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论.  相似文献   
230.
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