对甲酸蒸气具有质量传感特性的类金刚石薄膜

用含有胺基的正丁胺作为碳源,用射频辉光放电方法制备出碳膜。Ｒａｍａｎ谱分析表明,该种碳膜具有类金刚石结构。红外光谱分析表明薄膜中存在着ＳＰ＾２和ＳＰ＾３结构的碳氢键。     

兔防御素NP-1基因在转基因烟草中的表达及其对烟草青枯病的抗性研究

从兔子肝脏细胞中扩增到防御素ＮＰ－１成熟的编码序列,长约２００ｂｐ。将此片段插入到切除了ＧＵＳ编码序列的ｐＢＩ１２１质粒载体中,构建成植物表达载体ＰＢＩＣ－３５ＳＮＰ１。     

高振动激发态的V-V传能研究——I.CO(ν)向CO2的振动传能

利用时间分辨Fourier红外发射光谱仪（TR FTIR）,研究了CO的高振动激发态（v≤8）向CO₂分子的传能反应。193nm紫外激光光解CHBr₃和O₂的混合物产生高振动激发的CO（v）;TR FTIR记录不同时刻的CO（v→v-1）红外发射光谱。通过光谱模拟,求出CO各个振动态的布居及其随时间的演变,利用单量子弛豫模型,根据微分法,优化得到CO（v=1～8）向CO₂的传能速率常数分别为:5.7±0.1,5.9±0.1,5.2±0.2,3.4±0.2,2.4±0.3,2.2±0.4,2.0±0.4,1.8±0.6（10^-14cm~3·molecule^-1·s~^-1。并结合理论计算,用双通道传能模型对CO（v）向CO₂传能的机理进行了较好的解释。对于CO的较低振动态（v≤8）,它主要向CO₂（v₃）传能;对于CO的较高振动态（v>8）,则主要向CO₂（v₁）传能。     

LAM-ICPMS法用于单颗粒锆石定年研究

利用激光微区探针与感耦等离子体质谱结合即LAM-ICPMS技术 ,对已知TIMS年龄数据的若干单颗粒锆石进行了Pb/Pb及Pb/U年龄测定 .Pb同位素单质量分馏因子变化在 0.010～0.012之间并由NIST610标准玻璃进行校正 ,同时对影响Pb/U比值稳定性的若干因素进行了研究和优化 .获得的单点测量精度分别为²⁰⁷Pb/ ²⁰⁶ Pb在 0 6 %～ 2 4 %之间 ,而₂₀₆ Pb/ ²³⁸U在 1%～ 10 %之间 ;对应的外部测量精度分别为0 7%和 6 % .计算得到的Pb/Pb年龄和Pb/U年龄与TIMS结果相差分别为 <<1%和 <3% .     

C2H2, C2H4和C2H6在强激光场中的场致电离

运用HOMO场致电离模型, 分别计算了C₂H₂, C₂H₄和C₂H₆分子在不同强度激光场中的隧道电离几率, 得到了3种分子发生场致电离的理论计算电离阈值. 利用飞行时间质谱, 进行了C₂H₂, C₂H₄和C₂H₆分子在脉宽为100 fs, 波长为800 nm, 激光功率密度为10¹³~10¹⁴~ W/cm²的激光脉冲下的电离实验, 得到了3种分子在强场发生电离的实验电离阈值. 实验结果与计算结果符合得较好, 说明HOMO场致电离模型可以较好地模拟多原子分子在强激光场中的电离行为.     

云南马厂箐铜矿床氦同位素组成研究

众所周知,氦同位素对示踪地壳现代流体(如地下水、温泉、地热体系、海底热液、火山气体和天然气等)中有无幔源组分加入十分灵敏.但是,在示踪地壳古流体(如成矿流体)方面,则因长期以来难以评估氦在扩散丢失过程中所产生的同位素分馏,以及难以扣除原地放射性衰变对流体初始氦同位素组成的影响,而一直未发挥出应有的作用.只是80年代末至90年代初以来,随着对这些问题认识程度的加深,一些学者才先后以矿床中的矿物流体包裹体为测定对象,研究了部分成矿古流体的氦同位素组成,从而开拓了氦同位素在成矿古流体研究中的应用.这些工作主要包括对秘鲁Casapalca Ag-Pb-Zn-Cu矿床和Pasto Bueno W-贱金属矿床、韩国Dae Hwa W-Mo矿床以及一些洋中脊热水沉积黄铁矿等的研究.不过,至今国际上被研究过的矿床和矿种都极其有限.     

马桑根瘤内生菌纯培养物的成功回接及其分子鉴定

从马桑根瘤中分离获得４株具曲型弗兰克氏菌形态特征的内生菌纯培养物。结瘤试验证实它们均能侵染原寄主形成要根瘤。特异性寡核苷酸探针杂交结果也表明这些内生菌 培养物属于Ｆｒａｎｋｉａ属的成员。     

锌盐与L-蛋氨酸配合行为的研究

用相平衡法研究了ＺｎＣｌ２／ＺｎＡｃ２／ＺｎＳＯ４－Ｍｅｔ－Ｈ２Ｏ在２５℃及全浓度范围内的溶度性质结果表明,ＺｎＡｃ２和ＺｎＳＯ４２个体系为简单体系,没有新的化合物生成;     

分散有ZnS:Mn2+纳米微粒的玻璃的制备和光学性质

近年来半导体纳米微粒的光物理性质引起了人们越来越大的研究兴趣。半导体微晶随着其尺寸的变小能够表现出光物理性质上的量子尺寸效应。以往人们研究涉及较多的是半导体微晶的本征特性及其与周围介质的作用。自从Bhargava等报道了化学反应合成的ZnS:Mn~(2+)纳米微粒的光学性质,掺杂半导体纳米微粒发光性质的研究受到了极大的重视。掺杂纳米微粒有可能成为新的一类发光材料。