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乳汁中分泌有活性的人凝血因子Ⅸ的转基因羊的研制 总被引:11,自引:0,他引:11
在人类内源性凝血系统中,活化的因子Ⅸ和因子Ⅷ、磷脂、钙离子相互作用,形成一种复合物,使凝血因子Ⅹ转变成活化的因子Ⅹ,促进凝血酶生成,从而在凝血过程中起重要作用.人凝血因子Ⅸ(humanfactorⅨ,hFⅨ)缺乏导致一种X_伴性遗传的出血性疾病血友病B,发病率为1/100000[1].血友病B的治疗目前主要靠替代疗法,即注射正常人血浆制剂以补充患者所缺乏的FⅨ.然而,这种疗法存在着血液来源困难以及从供血者传染肝炎病毒、爱滋病病毒等致病因子的危险,故生产“无毒”的hFⅨ制剂长期以来是人们的迫切愿望.虽然通过重组DNA技术已… 相似文献
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DMD是一种严重危害儿童及青少年一种遗传性疾病,对8例DMD肌肉标本的研究发现,正常肌肉中能与膜结合的NOS活性较高,而DMD肌肉中几乎没有膜结合NDS活性;但两者肌肉中的可溶性NOS的活性均较高。通过Western blot和免疫组织化学梁色我们首次发现DMD肌肉细胞中有弥漫性iNOS的高表达,而正常仙肉中仅不微量高度局限化的iNOS表达。据此,提出DMD瓣进行性损伤机制可能与iNOS的异常表达 相似文献
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正εNd(T)值的准铝-过铝花岗岩:新疆也布山岩体 总被引:16,自引:2,他引:14
新疆东准噶尔也布山花岗岩体属于准铝 过铝花岗岩 ,Rb Sr全岩等时线法确定的时代为 2 6 8± 4Ma ,是晚古生代后造山阶段的产物 .也布山岩体的87Sr/ 86 Sr初始比值为 0 .70 4 3± 0 .0 0 0 7,εNd(T) = 5.51~ 5.85,表明岩浆起源于亏损地幔 .推测亏损地幔经过交代作用后再发生部分熔融 ,所产生的基性岩浆发生强烈的分异演化 ,除分离结晶作用外 ,还受到很少量年轻地壳物质混染 ,使得εNd(T)值有所降低、TDM 值变大 .Sr Nd同位素特征表明 ,也布山岩体和乌伦古河碱性花岗岩都是导致显生宙陆壳生长的新生地壳物质 . 相似文献
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人肝再生增强因子促肝增殖及其抗肝损伤作用 总被引:19,自引:0,他引:19
在克隆,表达人肝再生增强因子的基础上,对重组人ALR促肝细胞增殖及其抗肝损伤作用进行了研究,结果表明重组ALR不仅在内外均可促进肝细胞增殖,而且在肝损伤修复过程中可能有重要作用,是一种重要的肝再生调控因子。 相似文献
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功能梯度材料(FGM)温度应力的实验研究 总被引:7,自引:0,他引:7
用云纹干涉法测定了FGM试件和双材料试件在温度载荷作用下的变形位移场 ,给出了温度应力沿界面层上的分布曲线 ,讨论了梯度界面对温度应力特别是对界面层端部区域应力集中的影响 .实验结果表明 :与双材料试件相比 ,FGM试件中的梯度层有效地缓释了界面端部区域的应力集中 ,改善了界面应力的分布 ,减缓了界面区域的变形与应变并还将实验结果与有限元数值计数结果进行了比较 相似文献
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软X射线同轴全息实验 总被引:5,自引:0,他引:5
“水窗”波段软X射线非常有利于生物样品的显微成象,软X射线全息术可以观察自然状态下的生物样品的三维结构。合肥国家同步辐射光源软X射线光束线使用波带片-针孔线性单色仪从连续波长的同步辐射光中取得准单色软X射线,针孔用于压缩带宽提高光的时间相干性,同时限制光源的线度提高光的空间相干性。 相似文献
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非线性波方程的指数吸引子 总被引:1,自引:0,他引:1
运用算子分解和有限覆盖方法,对Temam文中非线性波方程得到(E.E)型指数吸引子,解决了Eden等人中提出的公开问题。 相似文献
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基于声发射小波分析的非连续增强金属基复合材料界面表征 总被引:2,自引:0,他引:2
界面是制约复合材料性能的关键性因素,同时界面效应的存在也为复合材料的设计与改进提供了一条重要的途径[1].因此,界面设计与界面控制工程已成为当前复合材料领域极为活跃的前沿课题,而该项工作的开展则以准确的界面性能表征为前提[2].然而,针对颇具应用前景的非连续增强金属基复合材料而言,现有的适于连续纤维增强复合材料的拔出法、顶出法等界面力学性能测试手段却难以奏效.为此,适于该种类型复合材料的直接、有效的界面力学性能表征方法的探索工作亟待开展.本文以具代表性的SiCp/Al复合材料为例,首次应用声发射(AE)小波分析技术… 相似文献
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Spence[1]在掺钛蓝宝石激光中实现了自锁模,它的诞生,使超短脉冲激光进入了新阶段.近年来,Cr4 :YAG,Cr:LiSrLF6等固体材料也实现了激光的自锁模运转。无论是以InGaAs/InP量子阱材料[2,3]或InGaAs/InP体材料为激活介质,在外腔工作条件下,采用锁模Nd:YAG(1.3μm)激光同步泵浦,都曾获得高功率窄脉冲运转,这里介绍一种InGaAs/InP体材料在连续的Nd:YAG激光泵浦下,采用外腔结构实现自锁模运转的实验结果,我们所使用的实验装置结构是如图1(b)所示的外腔面发射InGaAs/InP半导体… 相似文献