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高振动激发态的V-V传能研究——I.CO(ν)向CO2的振动传能 总被引:1,自引:1,他引:0
利用时间分辨Fourier红外发射光谱仪(TR FTIR),研究了CO的高振动激发态(v≤8)向CO2分子的传能反应。193nm紫外激光光解CHBr3和O2的混合物产生高振动激发的CO(v);TR FTIR记录不同时刻的CO(v→v-1)红外发射光谱。通过光谱模拟,求出CO各个振动态的布居及其随时间的演变,利用单量子弛豫模型,根据微分法,优化得到CO(v=1~8)向CO2的传能速率常数分别为:5.7±0.1,5.9±0.1,5.2±0.2,3.4±0.2,2.4±0.3,2.2±0.4,2.0±0.4,1.8±0.6(10-14cm~3·molecule-1·s~-1。并结合理论计算,用双通道传能模型对CO(v)向CO2传能的机理进行了较好的解释。对于CO的较低振动态(v≤8),它主要向CO2(v3)传能;对于CO的较高振动态(v>8),则主要向CO2(v1)传能。 相似文献
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C2H2, C2H4和C2H6在强激光场中的场致电离 总被引:1,自引:1,他引:1
运用HOMO场致电离模型, 分别计算了C2H2, C2H4和C2H6分子在不同强度激光场中的隧道电离几率, 得到了3种分子发生场致电离的理论计算电离阈值. 利用飞行时间质谱, 进行了C2H2, C2H4和C2H6分子在脉宽为100 fs, 波长为800 nm, 激光功率密度为1013~1014~ W/cm2的激光脉冲下的电离实验, 得到了3种分子在强场发生电离的实验电离阈值. 实验结果与计算结果符合得较好, 说明HOMO场致电离模型可以较好地模拟多原子分子在强激光场中的电离行为. 相似文献
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云南马厂箐铜矿床氦同位素组成研究 总被引:11,自引:1,他引:11
众所周知,氦同位素对示踪地壳现代流体(如地下水、温泉、地热体系、海底热液、火山气体和天然气等)中有无幔源组分加入十分灵敏.但是,在示踪地壳古流体(如成矿流体)方面,则因长期以来难以评估氦在扩散丢失过程中所产生的同位素分馏,以及难以扣除原地放射性衰变对流体初始氦同位素组成的影响,而一直未发挥出应有的作用.只是80年代末至90年代初以来,随着对这些问题认识程度的加深,一些学者才先后以矿床中的矿物流体包裹体为测定对象,研究了部分成矿古流体的氦同位素组成,从而开拓了氦同位素在成矿古流体研究中的应用.这些工作主要包括对秘鲁Casapalca Ag-Pb-Zn-Cu矿床和Pasto Bueno W-贱金属矿床、韩国Dae Hwa W-Mo矿床以及一些洋中脊热水沉积黄铁矿等的研究.不过,至今国际上被研究过的矿床和矿种都极其有限. 相似文献
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从马桑根瘤中分离获得4株具曲型弗兰克氏菌形态特征的内生菌纯培养物。结瘤试验证实它们均能侵染原寄主形成要根瘤。特异性寡核苷酸探针杂交结果也表明这些内生菌 培养物属于Frankia属的成员。 相似文献
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近年来半导体纳米微粒的光物理性质引起了人们越来越大的研究兴趣。半导体微晶随着其尺寸的变小能够表现出光物理性质上的量子尺寸效应。以往人们研究涉及较多的是半导体微晶的本征特性及其与周围介质的作用。自从Bhargava等报道了化学反应合成的ZnS:Mn~(2+)纳米微粒的光学性质,掺杂半导体纳米微粒发光性质的研究受到了极大的重视。掺杂纳米微粒有可能成为新的一类发光材料。 相似文献
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黔西南微细浸染型金矿床的喷流沉积成因 总被引:11,自引:0,他引:11
近20年来,在我国贵州西南地区陆续发现了一系列产于沉积岩中的微细浸染型金矿床,从而引起了国际地质学界的广泛关注,并被认为是中国最具潜在远景的金矿产地之一,鉴于这些金矿床受层位和岩性控制十分明显,以至迄今对其所表现出来的层控性质为众所公认.又鉴于金的矿化主要以微细浸染状产出,因而一些研究者将其与卡林型金矿床相类比.目前对此类矿床成因的倾向性看法是,在同生沉积初步富集金的基础上经后期改造再富集成矿,强调后生热液改造占主导地位.然而,作者对黔西南十余个金矿床研究后发现,矿床中不乏海底喷流同生沉积特征,尤其是戈塘、板其和岩上等金矿床中存在典型含矿层状硅质岩,为评价海底喷流沉积作用及其对金矿床形成的控制提供了极为重要的证据. 确认海底喷流产物的主要证据有:(1)在晚古生代和中生代早期,矿床所在区域──右江盆地中存在多组穿壳的同生断裂,这为热液活动提供了通道.沿同生断裂的扩张活动,导致盆地中发育了一系列的隆起和洼地.(2)矿 相似文献
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以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K. 相似文献