金刚石在C60薄膜表面的气相成核

金刚石薄膜是一种性能优异的功能薄膜,比颗粒状金刚石材料有着更为广泛的应用领域,尤其是在光学和微电子学方面,因此近年来受到极大的关注。然而,在气相沉积金刚石薄膜中,金刚石在光滑非金刚石衬底表面难以成核。为了提高金刚石在光滑衬底上的成核密度,一般需要破坏衬底表面,使之布满宏观缺陷,如划痕、蚀坑等以提供成核点,或在衬底表面预沉积有助于金刚石成核的过渡层如DLC,β-SiC等。因此,寻找增强金刚石在光滑非金刚石衬底上成核的有效方法一直是近年来气相沉积金刚石研究的重要内容。最近,Meilunas等人发现Fuller烯中的C_(60),C_(70)作为过渡层可以显著提高金刚石在光滑Si衬底表面的成核密度。由于Fuller烯是一种新型的光学和半导体材料,因此,研究Fuller烯表面气相生长金刚石薄膜不仅为增强光滑衬底表面上的成核提供了一种新方法,更为重要的是有可能为金刚石薄膜和Fuller烯提供新的应用领域。     

修正变步长自适应算法

在系统识别领域,经常需要根据输入以及输出信号序列确定一个系统的参数,如传递函数等。当传递函数被看作一滤波器时,即相当于确定滤波器的各个参数。最小均方(LMS)自适应算法由于具有计算量小、收敛性能良好等特点而得到了广泛的应用。而在实际情形中,输入及输出信号序列通常包含直流分量,即信号序列的均值一般不为零。那么,直流信号对LMS算法的影响如何?本文正是从这一前提出发,将直流信号作为分析的起点,引入一种修正的变步长自适应算法。     

A∞与C∞的表示的关系

文献[1～3]中讨论了完备无限秩仿射Lie代数A_∞的水平为1的不可约最高权表示的具体实现。由于C_∞可看作A_∞的子代数,所以A_∞的任一表示都诱导出C_∞的表示。本文讨论了A_∞与C_∞可积表示之间的关系,并由此得到C_∞的一类水平为1的不可约最高权表示的具体实现。 设C为复数域,记且除有限个c_i外全为零,Z为整数集合}。设v_i∈C~∞满足第i个元素为1而其余全为零。     

α-乙氧羰基取代的手性氮酸烷基酯的合成

在有机化合物中,氮酸酯(nitronic esters)是一类比较特殊的物质。从形式上看(R_1R_2C=NO_2R_3),它可由酸式硝基化合物(氮酸)和醇缩去一分子水而得到,但实际上既没有按此方法得到过氮酸酯,反过来,也不能将其水解成酸式硝基化合物和醇。因其通常不稳定(大多数已知的氮酸酯在常温下的寿命一般仅为几分钟至数周),所以有关氮酸酯的研究一直很少见诸报道。     

经典Ramsey数R(5,9)和R(5,10)的下界

由于Ramsey数的确定十分困难,人们往往利用求Ramsey数上、下界的方法来逼近其精确值。表1中列出目前已知的R(5,l)的所有下界。 对较小的Ramsey数,确定下界的方法     

皖南许村晚元古代复合岩墙群的发现及其意义

皖南伏川晚元古代蛇绿岩套和休宁、许村、歙县晚元古代碰撞型花岗岩的发育,标志着该区晚元古代强烈的弧后造山构造-岩浆事件.本文所述复合岩墙群是该事件的最后一幕岩浆岩,由辉绿岩和花岗斑岩构成.对其组成和成因的研究,将有助于全面揭示该区晚元古代的岩浆活动规律.1 岩墙群的地质特征许村复合岩墙群出露于歙县许村镇至白蛇坑村一带(图1),平面上呈北东向展布,宽1.5～3km,延长约20km,它由近于平行排列的20余条岩墙组成.单个岩墙出露宽度2～7m,倾向135°～150°,倾角50°～70°.岩墙群切穿上元古界环沙组(Pt_3~h)的砂质     

广义时间迟滞型生物传热方程及其波特性的初步分析

生物传热学是一门新兴的不断发展着的科学,它正在根据一些新的发现和认识使其基本命题和定理不断趋于完善,并由此而提出新的概念。本文报道对生物传热热波方程的一个重要改进。     

呋喃正离子解离机制的理论新探讨

近年来,关于呋喃正离子(C_4H_4O~ )解离机理的研究,受到人们的广泛重视。这不仅由于一些中性分子在光化学过程中可以产生C_4H_4O~ ,而且因为对该机理的研究,有助于深入了解类似离子(如噻吩正离子和吡咯正离子)的分解机理。     

极光全天空图象投影变换中的强度修正

全天空(鱼眼)镜头和高感光度TV摄象机的极光成象观测上的应用,使极光地面观测的有效监视半径达到600km(极光发光高度为100km时),时间分辨率达到1/30s(如SIT-TV摄象机NTSC制记录时)。同时,高感光度成象装置(image intensifier和CCD)(charge coupled device)sensor)与数字化处理方法和滤光技术结合,使在极光谱线上的单色成象也成为了可能。因此全天空成象观测是目前极光地面观测和反演磁层结构和动力学行为最为有效的手段之一。     

关于Hochschild同调群的一个恒等式

设A是域k上的有限维代数,A~e是A的包络代数,即A~e=A(?)A~(op),其中A~(op)是A的反代数.任一A-A双模M自然地视为左A~e-模:(a(?)b’)m:=amb,(?)a(?)b’∈A~e,m∈M.由此得到左 A~e-模A并且有如下维数公式(参见文献[1]):proj.dim.A~eA=gl.dim.A.根据Cartan-Eilenberg公式,A的第i次Hochschild同调群H_i(A)等同于向量空间H_i(A)(?)Ext_(A~e)~i( A,D(A))(?)Tor~A~e_i( A,A),其中D=Horm_k(-,k)为对偶函子. 关于Hochschild同调群和上同调群的原始定义和基本性质我们引用经典文献和新书.近年来的若干文献表明代数的Hochschild同调群和上同调群与代数的表示之间有紧密的联系.我们指出同时研究Hochschild同调群和上同调群