纳米碳管制备新技术——固相热解法

纳米碳管是近几年继富勒球之后科学界的又一重大发现,其独特的一维纳米管嵌套结构使其表现出众多独特的力学和物化性能,如高强度、熔体毛细吸附效应和微电场发射等,显示出诱人的结构和功能应用前景,目前深受物理和材料学界的关注。有关纳米碳管的制备是该领域的研究热点之一。 自Iijima于1991年发现电弧放电产物中的纳米管碳结构以来,电弧放电法一直为制备纳米碳管的主要方法。其原理为石墨电极在电弧产生的高温下蒸发,在阴极沉积出纳米管。此方法的缺点是:（Ⅰ）高温:电弧温度高达3000～3700℃,常导致碳纳米管烧结;（Ⅱ）不稳定:一次稳定的电弧放电只能持续10s,间断放电导致产物结构不均匀和大量碳粒子混     

激光辐射烧结法制备铁/铜梯度复合材料

以CO_2激光束为热源对粉末冶金压坯进行整体烧结是最近几年出现的一种新技术。该项新技术具有烧结速度快、无污染、组织与性能好等突出优点。电力机车受电弓滑板对导电性、耐磨性、固态润滑性和强度都有较高的要求。目前应用的铁基滑板强度较高;     

二维渗流临界状态连接函数的幂估计

本文对二维边渗流模型给出了临界状态时连接函数τＰｃ（ｏ，ｖ）的幂估计，即存在常数ａ＞０，Ｃ１＞０，Ｃ２＞０使得Ｃ１｜ｖ｜＾－１≤τｐｃ（ｏ，ｖ）≤Ｃ２｜Ｖ｜＾－ａ，这里ｏ＝（０，０），ｖ＝（ｖ１，ｖ２）∈Ｚ＾２，｜ｖ｜＝｜ｖ１｜＋｜ｖ２｜．     

[Zn(bim)2]·(H)2O)1.67: 具有方钠石拓扑结构的金属-有机敞开骨架

用液相扩散法合成了新颖的配位聚合物[Zn(bim)₂]· (H₂O)_1.67 (Hbim=苯并咪唑, bim=脱氢苯并咪唑), X射线单晶结构分析表明: 配合物以四连接、四面体型的[Zn(bim)₄]^2-为单元构筑成具有方钠石4²6⁴拓扑结构的三维网络. 其中每个方钠石的笼共有24个顶点, 为锌原子占据, 而每个笼内共有10个客体水分子(体积占有率约为18%).     

论陶行知的天才教育观

陶行知的生活教育思想是以承认人的智力差异为前提的。天才与教育、智慧与知识以及天才的教育在陶行知的生活教育思想中居于核心的地位。陶行知的天才教育观是科学主义哲学思潮与儒家内圣外王思想结合的结晶。这说明陶行知在当时的体用之争中兼容了传统与西方,但以服务于当时社会现实为目标,体现了时代的特征。     

安徽省大别山北部的红刚玉

近几年来,安徽省地矿局313地质队在大别山北部一些超镁铁小岩体附近发现红刚玉。这种红刚玉呈柱状产出,最大直径可达1.5cm,晶型完整,经过处理加工可以制成宝石,但对于这种红刚玉的成因,以前很少讨论。我们根据现场观察和室内工作发现其形成与构造应力作用下的变形有关。     

全局渐近稳定性的Jacobi猜想的证明

设f∈C~1(R~2,R~2),f(o)=0.考虑平面微分方程x=f(x) (1)很久以来人们猜测:如果(?)x∈R~2,f的Jacobi矩阵Df(x)的特征值都具有负实部,则微分方程(1)的零解全局渐近稳定.在文献中,此猜想被称为Jacobi猜想或平面Markus-Yamabe猜想.1963年,Olech证明此猜想等价于f的全局单射性.1988年,Meisters和Olech证明,当f是多项式映射时,Jacobi猜想成立.1991年Gassull,Llibre和Sotomayor证明,当f是Khovansky函数(一类解析函数)时,Jacobi猜想成立.本文对一般情况证明了Jacobi猜想成立.1 预备知识设S~k(R~2,R~2)={f∈C~k(R~2,R~2)|(?)_x∈R~2,Df(x)是稳定矩阵},k=1,2,…, ∞ .设f∈S~∞(R~2,R~2),则(?)_x∈R~2,Lyapunov矩阵方程Df(x)G(x)十G(x)(Df(x))~T=-I_2 (2)有唯一正定解G(x),其中I_2为2×2单位阵.显然G∈C~∞(R~2,R~(2×2)).定义微分方程(?)y=G(y)ν,ν∈R~2, (3)y(0)=x,     

擁護它,学习它,遵守它,保衛它

中华人民共和國憲法草案公佈了,經過全國人民廣泛討論之後,將由全國人民代表大會討論通过,成為我國有史以來的第一個憲法。這是全國人民政治生活中極其重大的事件。全國人民,無論男女老幼,莫不歡欣鼓舞。我們熱烈擁護這個憲法草案,認真學習這個憲法草案,將來更要嚴格遵守這個憲法,堅决保衛這個憲法。     

Co-Al/Cu多层膜中层间耦合和磁电阻的振荡

近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品饱和时的磁阻R(S)小于零场时的电阻R(O),出现了所谓的巨磁电阻(giant magneto-resistance)效应,这一效应由于在磁头材料和磁敏感器件上具有广泛的用途而备受人们的关注。磁性多层膜的磁电阻比率一般要比     

一种MESFET变电容解析模型

随着通讯系统小型化的需要,很多微波有源电路需要单片集成(MMIC)。在MMIC中变容二极管与GaAs MESFET工艺不兼容,无法在一块GaAs半绝缘衬底上同时集成两种类型的器件。为了解决这一难题,我们在MMIC有源压控滤波器设计中提出了一种GaAs MESFET三端变容管结构。并建立了分析这类器件的变电容模型。由于一般用于调频作用的变容管,要求它具有较大的变电容比(C_(max)/C_(min))。因此,对于GaAs MESFET三端变容管就要使得栅压工作在正偏状态,以获得较大的变容比。栅压在正偏下,分析C-V特性时用到的耗尽层模型近似就要产生较大的误差。我们在模型中考虑了自由载流子运动对C-V特性的影响,使得理论模型分析结果与实验测试结果吻合得很好。