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111.
112.
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
113.
应用Elman神经网络的混沌时间序列预测 总被引:5,自引:0,他引:5
利用改进的 Elman神经网络对 3个典型的混沌时间序列在不同的噪声水平下进行预测 ,探讨了神经网络学习与泛化之间的关系 ,通过试凑法给出了 Elman最优的隐节点个数。并利用3种指标对预测结果进行了评估 ,结果显示 Elman网络对混沌时间序列预测的良好特性 相似文献
114.
利用高真空度扫描力显微术(HV-SFM)的压电响应模式原位研究了Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30%PbTiO3 (PMN-PT)弛豫铁电单晶(111)晶面的压电响应行为. 观察到与单晶束缚电荷补偿机制密切关联的异常的压电响应行为. 高真空度条件下的压电响应退化行为与本征屏蔽电荷不足以补偿极化电荷所引起的极化状态的不稳定性有关. 而大气环境下相当强的压电响应信号源于表面吸附机制所致的表面束缚电荷对畴状态较强的稳定作用. 相似文献
115.
在诸多传统工种中,维修电工可以说是新技术发展最快的,与其它技术之间渗透最多,对从业人员文化素质要求最高的工种。尤其是近二十年来,经济全球化和新技术的涌入,电气新技术的变化可以说是突飞猛进,令人瞠目结舌,使我们不得不重新认识一下这个传统的职业,调整看法。 相似文献
116.
117.
大豆灰斑病抗病基因RAPD标记的分子特征及抗、感种质的SCAR标记鉴定 总被引:12,自引:0,他引:12
与大豆灰斑病抗病基因连锁的共显性标记OPS03620&580的2个特征片段OPS03620和OPS03580的全序列分析表,共显性分离的主要原因在于引物扩增区域内30bp的插入Southern杂交显示,OPS03620来源于大豆基因组中的单拷贝序列,可用作RFLP探针。 相似文献
118.
研究了苯基三卤甲基汞与四苯基环戊二烯酮(TPCP)脱氧反应的特征及其产物--偕二卤环戊二烯的晶体结构。X射线单晶衍射分析表明,二卤化物晶体的结构参数会随着卤原子半径的不同而有所变化。同时还发现以应产物的产率也与卤原子的半径有关。这些结果印证了此前曾提出的这类卡宾反应的机理,即中间体羰基叶立德对反应不同竞争途径的选择主要取决于该中间体的特定结构。 相似文献
119.
120.
Sato H定义了八类经典Schottky群以及Jorgensen数,通过讨论第Ⅲ,第Ⅵ和第Ⅷ类的Jorgensen数的不同形式,给出了这三种类型的相关定理及其证明。 相似文献