S波段单片低噪声放大器

S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源( 5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5～26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.     

用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型

分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法。模拟结果与实验基本吻合。     

硅低温双极型晶体管电流增益的分析

从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.     

全负载下实现高效率的DC-DC转换器芯片设计

首先讨论了DC-DC转换器的功率损耗源,根据重载情况下PWM控制效率高而轻载情况下PFM控制效率高的特点,提出了全负载下实现PWM/PFM自动切换以降低功耗、提高电源效率的控制方法.将相加模式PWM、跳周期和限流相结合的PFM整合于一个系统中,使整个系统高效协调地工作,并在较大的负载变化范围内均具有高效率的优点.系统采用0.5 μm CMOS工艺实现,对系统的仿真结果表明,系统正常工作,成功实现了PWM/PFM的自动切换,性能指标达到了设计要求.     

一种用于锂离子电池管理芯片的时钟产生电路

设计了一种应用于锂离子电池管理芯片的时钟产生电路.针对应用要求,设计了一个环形振荡器,分析了影响振荡频率精度、输出波形及噪声的因素,并设计了一个无电阻的亚阈值电流偏置电路.电路采用0.6μm UMC数字电路工艺实现.Hspice模拟结果表明:振荡器的输出标准频率为1.975 kHz;在各种工艺极限情况下,温度为-40~85℃,电源电压1.5~8 V时,振荡频率在1~3 kHz间,满足时钟精度要求.典型情况下,该时钟产生电路的电流消耗仅为340~375nA.     

流体动力学模型中流密度方程的二维OAD离散方法

本文系统分析了用于流密度方程有限差分离散的ＳＧ和ＯＡＤ方法,完善了适合于二维非均匀网格系统的流线ＳＧ方法．在此基础上,提出了适合流体动力学模型中流密度方程离散的二维ＯＡＤ方法．简单的数值实验表明,ＯＡＤ 离散方法不仅能够解决数值计算中存在的侧风扩散效应,而且还能大幅度地提高计算过程的收敛速度     

一种新型的微机械电子隧穿加速度计

介绍了一种新型的微机械电子隧穿加速度计,利用体硅微机械加工工艺和硅／玻璃静电键合技术成功研制出了一种三明治结构的隧穿加速度计。为了有效减小低频噪声,在反馈回路里加入了振荡器和解调器。测试结果表明,目前样品的分辨率约为10^-6g/-√Hz,抗冲击能力达到50g。     

低功耗数字系统设计方法

首先对集成电路的功耗来源进行简要的分析。在此基础上,按照不同的设计层次,分别介绍了系统层、寄存器传输层、版图层的各种主要的低功耗设计技术,重要分析了不同技术的基本思路和进一步发展的方向。最后,从整体设计流程的角度介绍了前馈型的设计方法,进一步指出高层设计层次中的低功耗设计方法和技术在未来数字系统功耗设计中的重要性。     

半导体器件流体动力学模型研究

主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程。流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来，对玻尔兹曼传输模型采用不同的物理假设和数学近似，可以得到不同形式的流体动力学模型。同时，对各种不同形式的流体动力学模型的相互转换关系进行了系统分析，给出了半导体器件各种输运模型的适用范围等特性，为通用亚微米半导器件模拟软件的模型选择提供了参考依据。     

低温CMOS－器件物理和互连特性

本文概述低温ＣＭＯＳ的器件物理及其中的互连特性。详细分析了ＭＯＳ结构中载流的冻析效应，低温迁移率和漂移速度，并讨论了ＭＯＳ器件的低温阈值特性。对低温下多晶硅和ＴｉＳｉ２等互连以及金一半欧姆接触特性，也作了扼要讨论。本文的结果和结论对于优化低温ＣＭＯＳ结构和器件参数具有一定的参考价值。