一种新型的矿井通信设备—诱导电话

本文介绍一种新型的矿井通信设备——诱导电话,给出了设备的设计思想、指标、框图,及其部分具体电路和数据。     

应用放射性同位素示踪法研究喀斯特地区地下水

本文论述了放射性同位素示踪测井方法及单井同位素地下水流向流速仪的构造、原理及特点:~(131)I作示踪剂,用LID和IC作接收器.采用萤光照相定方位。流向误差<±10~0,测深500m.文中着重介绍了该方法在喀斯特地区地下水均衡试验场中的应用实例.通过流场动态参数测定,正确划分了试验场地下水边界、补给关系.采用这种新的水文地质手段,可提高水文物探效率,为该试验区节约打井费用40-50万元.     

利用微生物转化丙烯腈生产丙烯酸的研究

从长期受工业污水污染的河水、污泥中分离到４７株能以丙烯腈或丙腈为唯一碳、氮源或氮源生长的菌株．经高压液相色谱（ＨＰＬＣ）测试发现有５株菌在以０．１５ｍｏｌ／Ｌ丙烯腈为底物的转化反应中，产物除丙烯酸外几乎无副产物．探索了菌株６－１３的基本培养特性及其酶促反应条件．在选定条件下．通过分批补加丙烯腈，连续反应４ｈ，反应液中累积丙烯酸０．５２６ｍｏｌ／Ｌ，未检出丙烯酰胺，丙烯腈转化率高于９６％，丙烯酸由红外光谱和质谱确证．     

红假单胞菌的分离鉴定与生长特性

由青岛沿岸潮间带表层沉积物分离出４株光合细菌，经鉴定属于荚膜红假单胞菌和球形红假单胞菌。光照厌氧培养生长实验表明ＨＤ３的最适盐度为Ｓ＝１５－２５，ＰＳ２－２为一淡水菌株。菌株ＨＤ３的最适ＰＨ范围为６．３５－８．３。ＨＤ３、ＲＳ均不能利用硫化物且其生长受较高浓度的硫化物抑制。     

《不扩散核武器条约》面临抉择

4月17日-5月22日,《不扩散核武器条约》(通常称为《核不扩散条约》)的续约暨审议会议将在美国纽约召开。联合国185个成员国中170个国家的代表将会聚一堂,共同审议《核不扩散条约》的执行情况,并     

交换环上矩阵的一些性质

将有理整环上矩阵的一些性质，推广到交换环上，得到下列结果：对于任一交换环Ｈ，ｍ为Ｈ上的一非零元素，Ｔ为Ｈ上的ｎ阶对称矩阵，则必存在一Ｈ上的对称阵Ｓ和一个非零元素α，使得｜αＴ－ｍＳ｜＝ｍｉαｊ（ｉ，ｊ为满足ｉ＋ｊ＝２ｎ，且 ｉ≥ｎ的任意非负整数）。具中 ｜αＴ－ｍＳ ｜表示矩阵 αＴ－ｍＳ的行列式的值。以此为基础，得到交换环和主理想环上矩阵的一些性质。     

几种中草药对光合细菌生长的促进作用

提出在培养基中添加一定浓度的栝楼、木瓜、蒲公英和桔梗等中草药浸提液，可明显促进光合细菌的生长。其中，以栝楼的促生效果最好，浸提物浓度愈高，促生效果愈明显。所试浓度的栝楼、木瓜浸提液，没有发现对光合细菌生长有抑制作用。指出在生产性培养中，添加某些中草药促进光合细菌的生长是可行的。     

GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.     

藏山羊微卫星DNA多态性研究

选用10个SSR标记,经PCR扩增、9%非变性聚丙烯酰胺电泳和银染法显色,对高原型藏山羊、山谷型藏山羊进行遗传多态性研究,并以白玉黑山羊、建昌黑山羊、美姑山羊和新疆山羊作对照.结果表明,10个SSR标记在高原型藏山羊、山谷型藏山羊、白玉黑山羊、建昌黑山羊、美姑山羊和新疆山羊群体的平均H、PIC、Ne分别为0.673/0.631/4.3、0.680/0.649/4.7、0.777/0.660/4.3、0.797/0.716/5.1、0.793/0.561/3.2和0.680/0.629/4.6.高原型藏山羊与山谷型藏山羊(D=0.063)聚为1类;建昌黑山羊和美姑山羊(D=0.026)聚为1类后,再与白玉黑山羊聚为1类;最后两类与新疆山羊聚为1大类,与各群体的来源和生态地理分布一致.     

PZT-5H导电缺口电致滞后开裂

研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<E_F, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场E_DF = 9.9 kV/cm. 如EE_K= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<E_DF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.