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玉米抗纹枯病QTL分子标记定位 总被引:7,自引:0,他引:7
用抗玉米纹枯病自交系CML270和感病自交系478的(CML270×478)×CML270 BC1∶2群体共322个株系为作图和定位群体, 构建了125个SSR标记位点的遗传连锁图谱, 覆盖玉米基因组1939.0 cM, 平均图距15.5 cM. 采用复合区间定位分析, 检测到玉米纹枯病抗病指数主效QTL位点3个, 2个位于第1染色体, 1个位于第7染色体上, 它们分别能解释表型变异的18%~20%; 控制株高的QTL位点7个, 分别位于第3~6染色体上, 控制“穗位高”的QTL位点5个, 分别位于第3, 4, 6染色体上. 自交系CML270玉米纹枯病抗性主效QTL真实存在, 抗性与植株高度遗传上不存在连锁关系, 为玉米纹枯病分子标记辅助选择(MAS)和抗性基因分离与克隆提供了技术和材料支撑. 相似文献
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维斯特创立的普通术语学思想在20世纪70年代基本形成后,在30年中稳步前进。自21世纪以来,欧洲对术语学的讨论忽然变得热烈,产生了一些“颠覆性”的质疑。文章介绍了欧洲术语学传统思想的承继者们如何应对这些质疑,以及“现代术语学革新派”突破性的理论思想贡献,并浅析未来的术语学理论发展的趋势和远景。 相似文献
154.
155.
为研究方钢管混凝土柱-不等高钢梁框架节点在地震作用下的损伤演化过程,基于4个方钢管混凝土柱-不等高钢梁框架节点的抗震性能试验,运用有限元分析软件ABAQUS对梁柱节点进行了数值分析,并选取了适用于此类异型节点的双参数地震损伤模型.通过有限元结果和损伤模型分析了不等高钢梁框架节点在低周反复荷载作用下的损伤发展过程.结果表明:所选取的损伤模型能更好地反映节点从"基本完好"到"完全破坏"的损伤演化规律,且能够定量确定节点不同破坏程度的损伤限值;节点的地震损伤主要集中在高梁上下翼缘螺栓连接处,并随着加载循环次数的增加,损伤累积不断加大,最终破坏模式为高梁端塑性铰破坏.研究结论为该类节点基于损伤的抗震设计方法以及地震损伤评估提供了理论依据. 相似文献
156.
术语在现代知识社会中肩负着基础性的作用,现代社会信息技术的应用对术语学理论研究提出新的挑战。信息技术要求术语具有其计算机化的代表物,而旧有的普通术语学理论满足不了现代术语实践的状况;西方的术语学理论家在术语学与信息技术、术语学与知识工程相互碰撞的实践中,构想了“本体术语学”这一术语学理论的新范式,这一构想在具体的术语学实践中产生了积极的成果。文章旨在介绍和分析“本体术语学”的理论渊源和学术成果。 相似文献
157.
20世纪90年代至今,虽然传统术语学思想受到多方质疑,但当今全球化的术语学理论和实践并没有到消极的“十字路口”。与之相反,术语学建设变得更加稳健和朝气蓬勃。文章从科学哲学的角度,论述西方学者提出的“术语学是一种科学研究纲领”的思想,并对交流(交际)术语学在术语学发展中的作用做粗浅评价。 相似文献
158.
为研究方钢管混凝土柱-不等高钢梁节点的抗震性能,基于4个方钢管混凝土柱-不等高钢梁节点的低周往复加载试验,利用Open Sees开放平台,建立了梁柱节点数值模型。为考虑钢管混凝土-钢梁的实际受力性能,梁柱节点区域采用梁柱纤维单元、非线性弹簧以及剪切区组合建立。通过数值模拟分析了钢管强度等级、梁高比、试验轴压比、核心混凝土强度对不等高钢梁框架节点抗震性能的影响。结果表明:钢管强度等级的增大有利于提高节点的延性和极限承载力,且Q390性价比最高,极限承载力增幅最大为11. 5%;随着左右两侧梁高比的增大,节点承载力上升显著,当梁高比为0. 8时,承载力增幅最大为17. 75%;试验轴压比会导致节点承载力下降,且大于0. 5时,下降幅度十分明显,在设计中应当重视;混凝土强度等级的提升对节点承载力及刚度的影响较小。 相似文献
159.
运用贸易加权的实际有效汇率(REER)测算方法,以1994--2009年间人民币对中国前10位主要贸易伙伴货币的双边名义汇率的中间价、物价指数及贸易额等为样本数据,对人民币实际有效汇率进行了测算和分析,得出人民币名义汇率、名义有效汇率与实际有效汇率存在明显的走势差异,包括美元在内的单一货币对人民币的名义汇率,对人民币实际有效汇率的影响不大。 相似文献
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在MEMS传感器的电容检测电路中,经常要采用电容—电压转换电路。本研究将两相不交叠时钟模块应用到设计中,使得该电路用单个时钟就能进行有效控制,并能够满足MEMS电容检测系统的要求。采用0.25μm工艺库对电路进行优化并给定了电路仿真的相应结论。仿真结果表明,其CMOS运放部分的增益为77.76 dB,单位增益带宽为5.60 MHz,相位裕量为65.87°,输出摆幅为-2.0~1.89 V,输入共模范围为-1.0~1.93 V,正摆率为+9.92 V.μs-1,负摆率为5.03 V.μs-1,功耗为1.03 mW。该电路适合于pF量级范围内的电容变化,该变化范围为35~1 200 pF,且输出线性度良好。 相似文献