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141.
两相区退火温度是影响TRIP钢显微组织和力学性能的重要工艺参数之一,因此有必要优化两相区退火温度使TRIP钢获得最佳的强韧性配合。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉伸试验机研究了两相区退火温度对0.25C-1.5Mn-2.0Al冷轧TRIP钢显微组织和力学性能的影响。实验结果表明:在770~850℃退火并450℃贝氏体等温5 min处理后,实验钢的显微组织为铁素体、贝氏体和残余奥氏体。随着退火温度的升高,实验钢中的铁素体和残余奥氏体体积分数增加、贝氏体体积分数减少,屈服强度和抗拉强度降低。 相似文献
142.
利用MMS-300热模拟试验机开展单道次压缩实验和光学显微组织观察,研究了S38MnSiV非调质钢在温度为1173~1423K及应变速率为001~10s-1条件下的热变形行为,获得了应变速率和变形温度对该钢动态再结晶行为及组织的影响规律,按照双曲正弦方法确定了实验钢的热变形激活能和本构方程.结果表明:变形温度越高,应变速率越低,越有利于动态再结晶的发生;随着动态再结晶的进行,奥氏体平均晶粒尺寸随应变的增加逐渐减小;当应力达到稳态时,奥氏体晶粒尺寸不再随应变而发生变化. 相似文献
143.
144.
145.
通过电学有效驱动磁畴壁运动是自旋电子学领域的重要研究内容之一,其中零磁场下基于自旋轨道力矩效应驱动磁矩翻转是一种重要的磁畴壁运动调控方式.为了进一步实现低功耗、高速度、高效率的磁畴壁运动,本文研究了非共线自旋源所产生的区别于传统型自旋轨道力矩对磁畴的驱动行为.我们利用微磁学模拟研究了自旋流中类Rashba的Sy、类Dresselhaus的Sx和垂直于膜面的Sz三种自旋极化下自旋轨道力矩驱动磁畴壁运动,阐明了对布洛赫畴壁(Bloch wall)、奈尔畴壁(Néel wall)和头对头畴壁(head-to-head wall)的驱动及畴壁性质的影响,探究了Dzyaloshinskii-Moriya相互作用下磁畴壁运动中倾斜角的影响.本文对于理解基于非共线自旋源的自旋轨道力矩驱动磁畴壁运动具有一定意义,可为新型自旋电子器件的开发和应用提供物理基础. 相似文献
146.
苦丁茶多糖是一类重要的天然药物,有很好的保健作用。糖类化合物在较高温度下被硫酸作用脱水生成糠醛或糠醛衍生物,能与蒽酮缩合生成蓝绿色化合物。本研究将五指山苦丁茶叶分为四个等级,以无水葡萄糖(A·R)为标准品,硫酸-蒽酮法,用TU-1901型双光束紫外可见分光光度计在620nm的最佳波长处,测定吸光度A,对四个等级的苦丁茶多糖含量分别进行测定。得到四个等级的五指山苦丁茶中多糖含量分别为5.945℅、5.875℅、5.777℅和5.681℅。结果表明:不同部位的苦丁茶多糖含量存在着一定的差别,四级品的多糖相对较低,但差别不大;建议在采摘苦丁茶时,同时采摘未脱落的老叶,以免脱落后成分损失而失去利用价值。 相似文献
147.
复杂结构的动力学模型缩聚 总被引:4,自引:0,他引:4
针对模型缩聚的SEREP方法,提出利用矩阵分解技术进行动力系统主副自由度的算法.该算法允许选择特定的位移分量作为主自由度,保留在缩聚后模型中,便于在模型缩聚后进行后续的动力分析. 相似文献
148.
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小. 相似文献
149.
针对传导电磁干扰滤波器设计中人工电源网络阻抗、噪声源内阻抗、负载阻抗与EMI滤波器的阻抗匹配问题,建立了插入损耗法的误差理论模型及其等效电路.分别分析了串联和并联插入损耗法的测量精度及其系统误差,据此提出了相应的测试条件和测试方法,即当被测阻抗远大于负载阻抗时,采用串联插入损耗法;当被测阻抗远小于负载阻抗时,采用并联插入损耗法;当被测阻抗与负载阻抗相当时,可改变负载阻抗.理论与试验研究表明,该方法在适用范围内能够快速有效地提取EMI噪声源内阻抗,从而实现噪声源与EMI滤波器之间的最大阻抗适配,为EMI滤波器的设计及传导电磁干扰噪声抑制提供理论依据. 相似文献
150.
FV1000 MPE是结合了激光扫描共聚焦显微镜和双光子激发技术的扫描成像系统。广泛应用于生物学、生物医学等科学研究中。双光子共聚焦显微镜的组成及维护等对初学者来说比较复杂,从配置和维护中重要的问题展开讨论,为双光子共聚焦显微镜的使用者和管理者提供参考。 相似文献