北京自然博物馆新建水生生物馆

近年来,随着科学知识的日益普及,人们热爱自然、保护环境、保护野生动植物的意识也越来越强了。北京自然博物馆在北京市政府的大力支持下,改造主楼地下室,建成650平方米的水生生物馆,为北京市的观众们又提供了一个游览、娱乐、学习的场所。水生生物馆由三个展厅组成:演化厅、海洋厅、淡水厅。当你沿着阶梯式鱼缸缓步前行     

斯洛文尼亚的溶洞

来斯洛文尼亚工作两个多月,明天就要回国了,米兰先生说要送我一件礼物,让我和他一起外出,车开了好一阵儿才说带我去看波斯托依那溶洞,对我来说,这可真是件好礼物。因为我已经看过另一个叫“施卡次扬”的溶洞群。施卡次扬溶洞在一个天然的巨大漏斗状的峡谷里。参观施卡次扬溶洞要先乘缆车下行100多米,到谷底再沿着地下河边的小路前行。河水深入地     

加强公众环境意识教育

通过对环境教育发展历史的回顾，论述了环境教育的另一个重要任务-提高公众环境对保护环境的重要作用，并通过国外在加强公众环境意识教育方面的经验，提出在我国加强公众环境意识教育的对策。     

终端带单一场环的P+N结击电压分析

利用了平面结击穿电压的归一化表达式，研究了终端带单一场环的P     

山水画中的地质学

我国很早就出现了专门描绘自然山川之美的风景画,我们习惯叫"山水画".中国山水画滥觞于"六朝"(公元四、五世纪),独立于隋朝,发展于唐代,至公元十世纪的五代就进入高峰的阶段,经两宋至元朝,山水画竟成为居统治地位的画种了.在中国的绘画史上产生了为数众多,风格迥异的山水画家,创作出许多稀世珍品,成为世界艺术宝库中一笔宝贵财富.中国山     

加氢裂化尾油异构脱蜡生产特种油研究

为改善加氢裂化尾油的油品性质,以加氢裂化尾油为原料,采用自主研制的Pt/SAPO-11和W-Ni/Al2 O3催化剂及一段串联加氢工艺可生产出优质的特种油。从产品馏分分析数据可知,轻质馏分可生产6＃、120＃、SHD80、SHD100和SH-2731等溶剂油,重质馏分可生产工业白油和专用润滑油基础油。     

诺贝尔自然科学奖世纪回眸

一诺贝尔逝世１０３周年纪念日———１９９９年１２月１０日下午４时３０分 ,在斯德哥尔摩庄严的音乐厅里 ,举行了一年一度的诺贝尔颁奖仪式。诺贝尔基金会主席本特·萨姆尔松首先致辞 ,他回顾了从１９０１年开始颁发的诺贝尔奖在即将结束的整个２０世纪里 ,为促进世界科学事业的发展和造福人类所作出的积极贡献。随后 ,瑞典国王向１９９９年度的获奖者颁发了证书、金质奖章和奖金支票。１９９９年的自然科学奖 :物理学奖得主是荷兰的两位科学家———霍夫特和韦尔特曼 ,他师生俩解释了物理学领域电磁相互作用和弱相互作用的量子结构 ,为粒…     

应用于时间数字转换器的补偿校准算法及电路

文章提出一种基于相位内插型时间数字转换器(time-to-digital converter, TDC)的补偿算法及校准电路,通过该电路能有效地解决由于亚稳态和PVT(process, voltage and temperature)因素变化引起的TDC的采样错误,并且不需要额外的计数器、锁频电路或基于统计方法学的复杂结构。基于该方法的TDC电路采用CMOS 0.110μm工艺设计实现,版图面积仅为380×140μm²,在1.2 V电源下功耗为4.2 mW。仿真结果表明：系统分辨率为104 ps,最大微分非线性(differential nonlinearity, DNL)和积分非线性(integral nonlinearity, INL)分别为0.3、2.5 LSB,证明依据该算法的TDC电路具有良好的时间精度和线性度。     

一种应用于单光子测距的去噪算法及电路

随着高级驾驶员辅助系统(advanced driver assistance systems, ADAS)中对高分辨率光检测和测距(light detection and ranging, LIDAR)技术的需求越来越高,文章提出一种应用于激光测距技术的去噪算法,该算法是一种完整的数字信号处理方法,用时间相关的单光子计数来进行飞行时间(time-of-flight, TOF)测距,该方法的核心是将原始光子存储在一个m×n的阵列中。该算法包括粗滤波、细滤波2个过程,在粗滤波中,将每16个光子作为一个组,首先编程为4×4子阵列,在子阵列块中,将汇总所有光子;然后逐块进行筛选。在细滤波中,对通过粗滤波选择的3个子阵列中的每个子阵列的16个数据进行卷积;然后在每个子阵列中逐个滤波来确定最大数量的光子。与在单光子统计直方图中执行逐条滤波的传统算法相比,该算法的效率提高了10倍以上。仿真实验结果表明,文中提出的方法大大提高了运算速度,同时精度仍然很高,可用于激光雷达芯片的实时信号处理。     

低压VDMOSFET导通电阻的优化设计

对低压VDMOSFET导通电阻Ran的各个构成部分进行了理论分析,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响,通过这些分析和计算,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则,并给出了低压条件下最佳单元尺寸。