拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料

使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.     

In0.53Ga0.47As红外探测器结构设计与器件性能研究

采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长InGaAs红外探测器器件结构.器件结构为:在掺杂的InP衬底上生长2.8μm的In0.53Ga0.47As吸收层,然后再生长0.8 μm的InP覆盖层.采用Zn扩散技术得到P型,从而制备出平面型p-i-n探测器器件,并对128×2线列器件的性能进行研究,测量线列探测器的I-V曲线、光谱响应曲线.所制作的128×2 In0.53Ga0.47As线列器件无盲元.线列器件的平均峰值探测率D*为3.98×1011cmHz1/2W-1.     

垂直激励下颗粒物质系统中的质量环流与密度波

以实验方法研究了底部为锯齿形的环形槽中,二维颗粒物质系统在垂直激励下的运动.环形槽外径19 crn,内径18.3 cm,高1 2 cm.实验中选用约1 000个直径为3 mm的铜球.以Brüel & Kiaer 4805振动台以及Brüel & Kjaer 1050振动激励控制器激励环形槽作竖直振动.高速照相机(Red...     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

具有周期结构的垂直激励系统中颗粒物质隆起的形成和输运

在外加垂直激励条件下, 存在周期底部结构的槽中, 实验观察到颗粒物质隆起的形成和输运. 槽的底部结构有两种. 一种为由10个矩形凸起构成的周期状. 外加激励较弱时, 槽中形成多个小隆起, 其个数与底部凸起的个数相同, 并且小隆起均位于底部凸起上方, 与底部凸起一一对应. 外加激励较强 时, 颗粒系统随着外加激励参数的变化呈现3种不同的状态, 单个大隆起、大隆起加小波浪和大隆起加剧烈波浪. 实验测量了这3种状态对频率f和加速度G 的依赖关系. 为了研究出现波浪现象时隆起内部的输运情况, 在隆起中掺入示踪颗粒, 用高速相机记录其运动轨迹, 观察到隆起的内部存在着局部对流, 而这是平底槽中所没有的. 另一种底部结构为单一台阶状, 实验观察到隆起向台阶方向输运的现象, 我们认为气压差是该现象产生的主要原因.