分层架构下智能电动汽车纵向运动自适应模糊滑模控制

针对智能电动汽车(intelligent electric vehicles,IEV)的纵向控制在不确定性干扰下存在非线性、强时变特征,提出一种分层控制架构下的智能电动汽车纵向跟车运动自适应模糊滑模控制方法.根据经典理论力学建立表征智能电动汽车纵向行为机理的动力学系统模型,并进一步构建智能电动汽车纵向跟车运动分层控制构架.上层控制根据本车与前车的行驶状态信息得出期望加速度滑模控制律,进而利用自适应模糊系统替代滑模切换项以改善控制性能;下层控制通过设计驱动/制动切换策略以提高行驶舒适性,然后基于逆动力学模型实时求解期望控制力矩以跟踪期望加速度.为验证所提方法的有效性,在不同行驶工况下进行的仿真试验结果表明,该方法能实现本车平稳准确地跟随前车行驶,且对前车加速度的干扰具有鲁棒性.     

磁流体性能对磁流体回转轴密封的影响

介绍了磁流体回转轴密封的原理、结构及性能。阐述了温度对其耐久性和耐压状况的影响,并且就轴转速与密封耐压、动力损失和轴转矩的关系进行了详细的说明,此外,还论述了磁流体密封的适用性。     

低踢回噪声锁存比较器的分析与设计

为了减小踢回噪声引起的比较器参考电压的失调,着重对比较器进了分析和优化,设计了一种低踢回噪声锁存比较器,该比较器包含一级前置放大器和动态锁存比较器.锁存比较器采用两个正反馈锁存器和反馈环提高了锁存速度.采用0.6 μm Bipolar工艺的Hspice对电路进行了模拟.结果表明,在5.5V电源电压下,比较器的最高工作频率为200 MHz,分辨率在8位,功耗为55 μW,可以满足200 MS/s高精度Flash结构模数转换器的需求.     

一种电流补偿的带隙基准电路

传统的带隙基准电路能够产生约15 ppm/℃温度系数的基准电压.电路中正温度系数的大小与支路电流的大小密切相关,通过调节支路电流的大小在-30 ℃到110 ℃的温度范围内产生约3 ppm/℃温度系数的基准电压.     

一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源．采用上海贝岭的1．2μm BiCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1．254V,在2．7V-5．5V电源电压范围内基准随输人电压的最大偏移为0．012mV,基准的最大静态电流约为11．27μA;当温度-40℃-120℃范围内,基准温度系数为1mV;在电源电压为3．6V时,基准的总电流约为10．6μA,功耗约为38．16μW;并且基准在低频时具有100dB以上的电源电压抑制比（PSRR）,基准的输出启动时间约为39μs．