多相共存纳米氧化铝粉体的特殊液相沉淀法制备

通过液相反应胶粒析出机理分析，首次采用快速高强度机械混合液相沉淀法技术制备了小粒径(平均2nm)无定型氢氧化铝纳米粉体。经900℃焙烧．获得多相共存纳米氧化铝。在制备过程中，采用适当的高强度混合和反应液浓度可加强浆料过滤性．从而大大节省了时间．得到小粒径纳米氧化铝粉末。     

P型掺杂金刚石电极双电层电容器研究

金刚石具有的一系列优良特性使其成电极材料的重要选择之一，采用P型掺杂金刚石薄膜电极可制备具有一定应用价值的双电层电容器．本文介绍了金刚石薄膜电极电化学双层电容器的基本原理、结构和主要参数．并通过对实验制备出的电容器进行相关参数的测定，证明了以P型掺杂金刚石为电极材料的双电层电容器具有优良的特性和良好的应用前景．     

水稻短光敏不育系生育特性和育性观察

通过周年分期播种、短日处理和人工气候箱试验,对水稻短光敏核不育系的生育特性和育性变化进行了系统的观察.结果表明,短光敏核不育系D38S具有一定的短日低温不育特性,它的育性主要受光照长短控制,受温度变化影响小,其育性对光温的反应表现为长日照诱导下可育;D38S在三亚从12月14日至3月27日有较长且稳定的不育期,适合进行杂交种子生产.     

硬质薄膜力学性能测试技术的研究

叙述了目前常用的硬质薄膜力学性能测试方法、原理及它们的优缺点.介绍了一种新的测试技术即薄膜冲击试验,可用来分析多次冲击载荷下薄膜失效机理及膜基体系疲劳强度或冲击韧性更多的信息.     

Pro/E中三维零件库几何编程接口的研究

目前,许多商品化的CAD系统中均配有零部件库(partslibrary)以提高产品的设计效率.但零部件库的数据格式绝大部分都不完全符合标准,从而在一定程度上阻碍了不同CAD系统之间零件库的数据交换和共享.介绍了符合零件库标准第31部分的几何图形程序如何通过几何编程接口在目标CAD系统里转换成相应的三维模型,从而使零件库具有开放性,实现了信息共享.     

钚氢化物的奇异动力学特征

用密度泛函理论方法计算PuH, PuH2的结构与光谱数据，并用多体展式理论导出PuH2的分析势能函数，以此为基础，进行了分子反应动力学计算，得到Pu(7Fg)+H2X1Σ+g→PuH2(B1)是无阈能的.讨论了5f电子在瞬间氢化过程中的作用.从理论上证明钚氢化反应的惊人速率这一动力学特征.     

论应用多基因转化策略综合改良生物体遗传性研究方向的前景Ⅱ.多基因转化策略中的规律、前景和问题

随着后基因组时代的到来,人类将克隆到越来越多的、生物学意义明确的有用基因应用于基因工程对生物体的遗传改良中.但生物体的绝大多数性状和生理功能都是依靠多基因的协调表达而实现的.因此,多基因转化策略必将成为今后基因工程在基础理论与实际应用研究中的主流方向.综述了近年来中山大学生物工程研究中心∥基因工程教育部重点实验室在多基因改良农作物方面的研究工作和进展,分析了多基因转化中的基本规律和存在的问题,最后对多基因转化策略在未来的应用前景作出了简要的展望.     

一种改进的语音二项式正弦脉冲激励方案

对一种码率在 2. 4kbit/s左右的基于LPC(线性预测编码)的二项式正弦脉冲(BSP)激励形式进行了改进,以多个正弦谐波代替了原BSP激励方案中的单一正弦波。谐波幅度用二项式进行调制,该二项式反映了激励信号在一个基音周期内的变化趋势。实验结果表明,在此基础上构造的语音编解码器在保持原BSP编解码器低复杂度、低时延优点的基础上,进一步提高了合成语音质量。     

铀与氢气的反应动力学

运用相对论有效原子实模型RECP和B3LYP方法计算了UH和UH₂的结构. 并在此基础上, 利用多体项展式理论方法, 导出三原子分子UH₂的解析势能函数. 根据UH₂势能函数, 采用准经典的Monte-Carlo轨线法研究了U+H₂体系的碰撞过程. 依据反应截面与能量之间的关系, 指出U+H₂(v = j = 0)是无阈能反应, 主要生成UH₂, 而反应H+UH(v = j = 0)生成UH₂的反应截面相对来说要小得多, 可以忽略. 如此证明铀与氢气反应生成UH3的中间产物是UH₂, 而不是UH. 这些结果为金属铀的抗氢化腐蚀研究提供了理论基础.     

LaNi5合金氚老化效应的微观机理

应用密度泛函方法对LaNi₅H₆双胞及四面体间隙、八面体间隙和十二面体间隙位置的氢用氦来代替的双胞La₂Ni₁₀H₁₁He进行了结构优化和能量计算. 对优化后的晶体结构、能带结构、电子态密度(DOS)分布和XRD的进行了分析, 计算了LaNi5中不同间隙位置的氦、氚形成能, 得到氚衰变产生的³He一般处在八面体和十二面体间隙位置并优先从四面体间隙位置向十二面体间隙位置聚集, 氦的存在使晶格膨胀和电子态密度(DOS)分布发生变化导致了氚老化过程中P-C-T曲线的坪台压降低、斜坪增大, 氦周围的深势阱是形成氚尾的主要原因 之一.