Ag/Bi多层膜的互扩散行为研究

互扩散系数是研究多层膜中扩散机理和固相反应的重要参数,利用调制波长为纳米级的成分调制多层膜可以测量10~(-27)m~2/s量级的扩散系数。当组分调制多层膜的调制波长L(L为两组分厚度之和)在纳米量级时,在垂直膜面方向形成一个一维的人造晶格。这种人造晶格所产生的在0°～10°范围内的Bragg衍射峰(调制峰)的强度对退火过程中多层膜间的互扩散十分敏感。测量多层膜的第1级小角X射线衍射峰强度随退火时间的变化可以得出多层膜间的互扩散系数。为了准确测量,最近我们设计了一种可以原位测量第1级小角衍射峰强     

MapX控件在GIS中的应用研究

MapX是MapInfo公司提供的具有强大地图分析功能的ActiveX控件产品.利用MapX,能够简单快速地在软件中嵌入地图化功能,增强软件的空间分析能力.利用Visual Basic 6.0与MapX控件可轻松开发出GIS应用程序,因此,可将该控件用于城市地下综合管网管理系统及物流管理等系统中.     

肯定和否定决策规则的获取及约简

为了从不完备有噪声的信息系统中获取肯定和否定决策规则,首先提出了变精度粗糙集描述子的概念,并讨论了其性质|然后给出了该模型下肯定和否定决策规则获取的方法|最后,为了获得简化的决策规则,提出了基于分辨矩阵的描述子约简方法和保持下近似分布不变的启发式约简算法,在学生成绩的评测实例中验证了该方法的有效性。     

整系数线性方程组有整数解的一个充要条件

讨论了整数环上矩阵的初等变换和初等方阵理论 ,引用整数环上的不变因子理论 ,证明了整系数线性方程组有整数解的一个充要条件 .     

锌铝双氢氧化物对膨胀阻燃聚丙烯热稳定性能与阻燃性能影响的研究(英文)

采用一步法制备十二烷基硫酸钠改性的锌铝双氢氧化物(ZnAl(SDS)-LDH),并对其结构进行表征,然后通过熔融共混法制备膨胀阻燃聚丙烯/ZnAl(SDS)-LDH复合材料,系统研究了ZnAl(SDS)-LDH的添加量对膨胀阻燃聚丙烯复合材料阻燃性能和热稳定性能的影响,同时研究复合材料制备方法对材料结构和性能的影响.研究表明,体系的阻燃效率不仅与ZnAl(SDS)-LDH的添加量有关,与材料的制备工艺也有很大关系.添加适量的ZnAl(SDS)-LDH可明显提高膨胀阻燃聚丙烯材料阻燃性能和热稳定性能.在ZnAl(SDS)-LDH添加量相同的情况下,先加ZnAl(SDS)-LDH,后加膨胀阻燃剂的样品的阻燃性能明显优于先加膨胀型阻燃剂,后加ZnAl(SDS)-LDH的样品.     

步进电机的基本原理

步进电机是一种将电脉冲转化为角位移的执行机构。当步进驱动器接收到一个脉冲信号,它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度(称为“步距角”),它的旋转是以固定的角度一步一步运行的。可以通过控制脉冲个数来控制角位移量,从而达到准确定位的目的;同时可以通过控制脉冲频率来控制电机转动的速度和加速度,从而达到调速的目的。步进电机可以作为一种控制用的特种电机,利用其没有积累误差(精度为100%)的特点,广泛应用于各种开环控制。     

影响篮球裁判员判罚准确性主要因素的调查与分析

本文主要采用问卷调查法对影响江苏省篮球裁判员判罚准确性的主要因素进行调查分析,包括对裁判规则的熟悉程度、对裁判法的掌握及运用、临场实践经验的缺乏、心理能力的调节等,旨在找出影响篮球裁判员判罚准确性的因素,为培养高水平篮球裁判员奠定基础.     

综合改革 整体推进

曾以"碧溪之路"闻名遐迩的常熟市碧溪镇,在1984年就跨入了全省首批"亿无乡"行列。但随着市场经济的发展,乡镇企业原有的机制优势正在逐步丧失,部分企业不能适应激烈的市场竞争,出现了亏损和隐性亏损,有的甚至造成停产和半停产。面对现状,该镇领导积板探索,采用灵活多样的形式。实施综合改革。走出了一条靠政策解决经济二作深层次问题的新路。     

新泡沫时代的开端?

<正>岁末年初,《福布斯》杂志评出了当前全球七大金融泡沫,依次排序分别为黄金、中国房地产市场、新兴市场美国国债、大学学费、交易所买卖基金     

Analytical Solution to the Density-Gradient Equation for MOS Quantum Tunneling

Engineering-oriented simulations of quantum mechanical tunneling are often based on density-gradient(DG) theory.This paper presents an analytical solution to the DG equation for quantum tunneling through an ultra-thin oxide in a MOS capacitor with an n+ poly-silicon gate obtained using the method of matched asymptotic expansions.Tunneling boundary conditions extend the approximation into the entire region of the poly-silicon gate,oxide barrier,and substrate.An analytical solution in the form of an asymptotic series is obtained in each region by treating each part of the domain as a separate singular perturbation problem.The solutions are then combined through ’matching’ to obtain an approximate solution for the whole domain.Analytical formulae are given for the electrostatic potential and the electron density profiles.The results capture the features of the quantum effects which are quite different from classical physics predictions.The analytical results compare well with exact numerical solutions over a broad range of voltages and different oxide thicknesses.The analytical results predict the enhancement of the quantum tunneling effect as the oxide thickness is reduced.