CeO_2-SiO_2薄膜对硅太阳电池的减反射作用

本文报道新近研制成功的CeO_2-SiO_2薄膜的制备方法及薄膜的光学特性。作为硅太阳电池的减反射膜,CeO_2-SiO_2薄膜具有良好的减反射性能。实验结果表明,在AM1.5条件下,(输入光强为100mw/cm~2),与无减反射膜太阳电池相比,短路电流增加39.2％,与SiO减反射膜太阳电池相比,短路电流提高8％。这种减反射膜尚未见其它文献报道。     

低倍聚光多晶Si太阳电池的研制

本文报道了用50×50毫米~2浇铸多晶Si制成具有密栅、背场结构的低倍(2～5倍)聚光太阳电池,在AM1.5标准光强下,全面积转换效率达到10.2％,有效面积转换效率达到11.46％。在聚光2.73倍时,电池短路电流增益为2.5～2.71倍。在低倍聚光下工作的太阳电池的研制,国内尚未见报道。用多晶硅材料试制成这种电池,有可能进一步降低系统成本,在近期达到20～25元/峰瓦。     

杂质吸除技术与高效硅太阳电池

应用杂质吸除技术,以1Ω—cm P型Φ60mm复拉单晶硅制作N+—p—p+铝背场太阳电池,在AM1.5条件下,全面积光电转换效率在10％以上(有效面积光电转换效率为12％)的太阳电池占90％,最高可达14％(有效面积光电转换效率为16.2％)。在P+—N—N+型太阳电池上获得相同的结果。     

SnO_2-ZnO二元系导电陶瓷的研制

SnO_2—ZnO导电陶瓷是一种强n型半导体陶瓷。室温下,电阻率最低可达0.06欧姆—厘米。它具有耐高温、耐酸碱腐蚀、强度高等优点;且具有一定的透明性。