协和医院提出诊断“肾功能衰竭”新方法

我校协和医院博士生导师邓安国和他的研究生姚丽君等在对“肾综合征出血热急性肾功能衰竭发病机理研究”中取得突破性进展.利用这种方法，只需检查尿液中的肾小管上皮细胞是否存在出血热病毒抗原，就可诊断是否患了出血热急性肾功能衰竭.这一新的非创伤性检查与诊断方法，不久可望应用于临床. 自然疫源性传染病出血热，其传播途径是由一种叫黑线姬鼠身上的螨虫叮咬人所致.此病多发于农村及城市周边，严重危害农村青壮年人群的健康和生命. 肾小管上皮细胞是出血热急性肾功能衰竭时肾脏损伤最广泛、最严重的组织.在此之前，出血热病毒是否以单一因素直接损伤肾小管而致病，国内外未见报道.邓安国、姚丽君等从出血热急性肾功能衰竭患者的尿液中收集到出血热病毒感染的活的肾小管上皮细胞.这一发现不仅为“出血热急性肾功能衰竭”的发病机理提供了实验依据，同时为建立只需检查患者尿中是否存在含出血热病毒的肾小管上皮细胞，就能为诊断出血热的非创伤性检查与诊断方法打下了基础.     

大学生科技创业是科教兴市主战略的重要组成部分——上海市委副书记殷一璀在市大学生科技创业调研会上的讲话

10月20日下午,上海市委副书记殷一璀一行、副市长严隽琪带领有关委办局的领导到复旦大学调研上海市大学生科技创业工作,并和市有关委办局、有关高校、创业者代表进行座谈。殷一璀同志作了重要讲话。她首先指出市委非常重视大学生科技创业工作,市政府对大学生科技创业工人推进的力度是很大的,今年以来严副市长已经5次参加专门的会议。接着她讲了三点意见。     

“矛”“盾”的知识产权

战国时期的韩非讲过这样一个故事：＂楚人有鬻盾与矛者,誉之曰：‘吾盾之坚,物莫能陷也。’又誉其矛曰：‘吾矛之利,于物无不陷也。’或曰：‘以子之矛陷子之盾何如？’其人弗能应也。＂对韩非这个矛盾之说的逻辑思想我们不评论,只是想看看世上究竟有没有这样攻守兼备的冷兵器,攻城略地,所向披靡,防守疆土,固若金汤。     

树立大局意识 聚焦重点工作 加快建设“生活品质之城”——在全市区、县（市）科技局长会议上的讲话

一、全市上半年科技工作简要回顾 1.科技创新创业环境进一步优化 全市科技创新大会以来,市委、市政府围绕自主创新能力提升,相继召开了全市大力发展高新技术产业工作会议、贯彻市第十次党代会和市"两会"精神推进"工业兴市"专题会议,提出了"提升发展优势传统工业、适度发展新型重化工业、大力发展高新技术产业"三位一体方针,指出了把集成创新和引进消化吸收再创新作为杭州自主创新的主攻方向.     

你所不知道的尼泊尔

说起去尼泊尔，基本算是个计划之外的行动，去西藏之前事先虽然也带上了护照，但总觉得这事儿应该没那么简单。没想到这事儿就这么简单，到了拉萨就去找尼泊尔使馆签证，第一天下午护照与75块钱递进去，第二天下午4点就拿回来了，似乎比在北京的签证费还要低一些似的。     

省科技厅认真学习贯彻全国九届人大四次会议精神等

3月17日，省科技厅召开会议，全国人大代 表、厅党组书记、厅长姚聚川传达了全国九届人大 四次会议精神。各处室、厅属单位负责人参加了会 议。与会人员认真学习了全国九届人大四次会议 主要文件精神和李鹏委员长、吴邦国副总理在河 南代表团座谈时的讲话精神。为把这次会议精神 落到实处，研究制订了三条措施：一是认真组织学 习会议精神，领会精神实质，以此统一思想，增强 凝聚力。二是要进一步转变工作作风，结合年初开 展的"抓落实，树形象"活动，加强目标管理，责任 到人，狠抓各项工作任务的落实。三是和"十五"、 今年的科技工作实际相结合，按照省委、省政府的 要求，大力发展高新技术产业；围绕全省经济结构 调整，组织联合攻关；加快科技体制改革步伐，构 建适应我省经济发展的创新体系；加大高层次科 技人才的培养、引进和使用力度。 (省科技厅办公室)     

杭州新目标:率先建成国家创新型城市——杭州市“十二五”科技发展规划要点

<正>"十二五"时期(2011～2015年),是我国深入实施《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006～2020年)》,增强自主创新能力,建设创新型国家的关键时期;是浙江省建设创新型省份,以"转型发展"为主线,基本实现现代化的关键时期;也是杭     

美开发出"可视"嗅觉新技术

能测试大脑对气味感知水平 美国杜克大学的神经学专家最近开发出一种具有高分辨率的成像新技术,利用它可以看到大脑对气味的感知、嗅觉的处理以及相关的学习和记忆过程。 这项新技术来源于一种称为自信号成像刺激的技术手段,这种原本用来标测大脑对各种所产生的反应的方法,经研究人员本杰明·鲁宾和劳伦斯·凯茨两人改进后,其分辨率提高了10倍,从而第一次获得了活体大脑     

一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.