多层薄膜厚度测定及计算方法

本文提出了应用X射线显微分析(XQMA)及Monte Carlo模拟确定多层薄膜微区厚度的理论和计算方法,为薄膜材料、大规模集成电路及超导多层薄膜的研制提供     

Monte Carlo方法计算薄膜中(基于一定衬底)背散射电子空间分布

入射电子、背散射电子在薄膜材料中的作用范围及密度分布是从事薄膜X射线显微分析(FXMA)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)工作的学者十分关心的课题。然而,这方面的理论计算结果至今未见报道。 电子束显微分析工作中,“薄膜”是指厚度小于电子透射深度的一类样品.若薄膜基于一定衬底上,这要涉及电子在多层介质中散射问题。本文用Monte Carlo方法计算了一定衬底薄膜中入射电子(IE)、背散射电子(BSE)空间分布及BSE能量分布,讨论了有关规律。     

Monte Carlo方法计算X射线空间分辨率

一、引言X射线空间分辨率R_x对于定量电子束显微分析工作是一个很重要的参数。对此,Reed、Duncumb、Castaing等都提出了各自计算R_x的经验公式。这些公式之间差别较大,且都处理成与原子序数无关,即忽略了不同元素中电子散射的差异,另外,在这类公式中,入射电子的束斑直径对R_x的影响也没有准确地反映出来,因此有必要对R_x值进行理论计算。     

用Monte Carlo方法严格计算X射线深度分布φ(ρz)函数

本文用Monte Carlo方法计算(?)(ρz)函数时,考虑了电子在不同元素孤立薄层中的散射差异对40种常见元素的(?)(ρz)函数积分值作了计算.     

Gauss分布入射电子在固体中轨迹的Monte Carlo方法作图

本文用Monte Carlo方法模拟绘出Gauss分布入射电子在固体中的轨迹,给出了计算、绘图程序流程图.     

Monte Carlo方法计算低能电子散射

近年来,低能电子散射(Low energy electron scattering,简称LEES)的基本理论、计算方法和实际应用研究越来越引起人们的重视。由于Rutherford散射截面、Bethe能量损失公式不能用来描述复杂的     

薄膜微区定量分析中“净强度”校正计算方法

用X射线显微分析方法测定在一定衬底上的微区薄膜厚度或组份时,由于ZAP效应的存在,使得这一问题极为复杂。作者在文献[1]中定义了自由膜中X射线     

多层多元组份薄膜样品中X射线荧光强度计算公式

在电子束曝光、太阳能电池及一些功能薄膜器件等高技术工艺的研究中,经常遇到多层多元组份薄膜样品每层的厚度和成份测定问题,这是至今用任何方法无法解决的重要难题。作者试图用电子束X射线微区分析手段加之Monte Carlo模拟计算方法来解决它。多层薄膜间及同层薄膜内各元素X射线荧光校正计算是主要困难之一。为此,我们基于处理微颗粒定量荧光计算的理论导出了计算多层多元组份薄膜间、同层内及衬底对其上每一层薄膜激发     

一个改进的Love电子能量损失方程

给出一个改进的Love电子能量损失方程——ML方程,该方程既保持了Love方程可积分得到Bethe路径解析式特点,能量较低时又能较好地描述电子能量损失.用ML及Love方程对Al、Ag、Au的电子阻止本领与电子作用区作了计算比较.基于Mott截面以及ML与Love方程,用Monte Carlo方法模拟了E≤5keV的低能电子在Al、Ag、Au中的散射,计算的电子背散射系数表明,改进后的ML方程计算结果与实验符合较好。