荞麦立枯丝核菌发酵液对苦荞萌发和生长的影响

采用胚根生长抑制法测定了荞麦立枯丝核菌发酵液对苦荞种子萌发和生长的影响.结果表明:立枯丝核菌Rs-1发酵液对苦荞种子萌发和生长具有明显的抑制作用,其抑制效果与发酵液类型、处理浓度和添加时间紧密相关;苦荞种子经马铃薯葡萄糖培养基(PD)发酵液、查氏(CD)发酵液和以蛋白胨为氮源的查氏发酵液处理后,其根长受到明显的抑制,仅为1.02、0.44和0.07 cm,与空白对照相比较,其抑制率分别为81.1%、92.9%和98.8%;当PD发酵液/灭菌发酵液处理浓度为100%时,对根长的抑制率可达92.3%和92.7%;PD发酵液/灭菌发酵液在第0 d处理苦荞种子时,对根长抑制效果最为显著,抑制率达到96.7%和96.0%;80℃下处理20 min后的PD发酵液,对苦荞根的生长仍有显著抑制效果,其抑制率可达98.8%.本研究结果为荞麦立枯丝核菌致病机制的深入研究提供了依据.     

一阶迎风格式和二阶ENO Local Lax-Friedrich格式修正系数研究

针对一阶迎风格式和二阶ENO Local Lax-Friedrich格式,通过修正系数法对其进行修正,在不增加模板节点数的情况下,将逼近精度提高一阶,分别称为MCupwind格式和MCENOLLF格式。理论与数值模拟实验表明,修正后的格式保持了原有格式的所有优点,在最坏的情况下自动降为原格式,修正系数法若能在间断或激波附近引入间断解思想,将会有更好的发展前景。     

高校图书馆期刊文献资源的管理和利用

结合高校图书馆工作的实际,对影响期刊文献资源管理和利用工作的主要因素进行了探讨,并提出了切实可行的应对策略。     

点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析,发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸,在晶体内部,当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。     

一种基于区间值Pythagorean三角模糊语言集的多准则决策方法

为提升不确定环境下信息描述的准确性,提出了区间值勾股三角模糊语言集(intervalvalued pythagorean triangular fuzzy linguistic set,IVPTrFLS),并研究了区间值勾股三角模糊语言变量(IVPTrFL variable,IVPTrFLV)相关的基本理论.同时,针对...     

一种有效的多重秘密共享方案

文章提出了一般接人结构上的多重秘密共享方案.该方案可以动态地添加或删除参与者,动态地更新多重秘密;理论分析表明该方案满足秘密共享的安全性要求,是计算安全的;而实验结果证实该方案操作简单,非常有效;另外,为了防止分发者与参与者的欺诈,提出了可验证的方案;在可验证方案中,基于离散对数问题,各参与者可以检验属于自己份额的共享的正确性.     

网格环境下基于免疫克隆策略的资源分析和任务调度

网格将多种资源组织在一个统一的框架下,为各种复杂的计算任务提供资源.因此计算任务在各种资源之间的调度成为了一个关键的问题.将遗传算法和免疫克隆算法结合起来,充分发挥各自的优势,先通过克隆操作来产生一组新的个体,然后再独立地对所产生的各个体进行克隆变异,克隆交叉操作,从而求得问题的最优解.实验结果表明,这种并行遗传免疫克隆算法全局寻优能力强,能有效地实现资源的负载均衡,可以成功地应用于网格任务调度中.     

F-T合成烃类产物分布随反应时间的变化

在固定床反应器上,详细考察了反应时间对Fe-Mn催化剂F-T合成产物分布的影响.分别研究了反应200和1 000 h后催化剂的F-T合成动力学,采用非线性遗传算法对实验数据进行回归,获取了不同反应期间的动力学参数.结果发现,反应200和1 000 h的链增长活化能分别为60.6和75.5 kJ·mol-1,表明随反应时间的增加,催化剂的链增长的能垒增大,这可以合理解释Fe催化剂随反应时间增加F-T合成产物向低分子烃变化的趋势.     

腌韭菜根中五种腐败菌菌液OD值与其活菌数相关性研究

为确定从腌韭菜根中获得的土扬芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、莴苣不动杆菌、解淀粉芽孢杆菌、蜡样芽孢杆菌五种腐败菌的菌液OD值与活菌数之间的线性关系,从而建立一种能快速获得菌悬液活菌浓度的方法.采用比浊法测定不同浓度菌液的OD600值,并通过平板计数法测得各菌液活菌数,比较二者之间的相关性,建立标准曲线.结果表明,腌韭菜根中五种...     

NiCoCrAlYTa粘结层与镍基高温合金基体的界面高温互扩散行为

采用真空等离子体喷涂技术(vacuum plasma spraying, VPS)在镍基高温合金GH3128基体表面沉积NiCoCrAlYTa粘结层,并在1 100 ℃进行不同时间的热处理。采用扫描电子显微镜（scanning electron microscopy,SEM）、能谱仪（energy dispersive spectrometer,EDS）等分析NiCoCrAlYTa粘结层与GH3128高温合金界面元素的互扩散行为。结果表明,在热处理过程中,互扩散区(interdiffusion zone,IDZ)和二次反应区(secondary reaction zone,SRZ)的厚度随着热处理时间延长而增大,且在SRZ中明显观察到拓扑密堆(topological close-packed,TCP)相晶粒的生长。Al、Ta、Co元素由NiCoCrAlYTa粘结层向GH3128高温合金扩散,Ni、W、Mo元素由GH3128高温合金向NiCoCrAlYTa粘结层扩散。依据EDS检测的粘结层/基体界面处元素成分,计算出上述元素在界面处的扩散系数,掌握了各元素在高温热处理过程中的扩散速率,揭示了VPS制备的NiCoCrAlYTa粘结层与GH3128高温合金界面处元素在高温下的互扩散规律。