南黄海现代沉积环境及动力沉积体系

基于南黄海600多个表层沉积物样品的研究和对前人大量沉积学资料及水文学资料的分析, 阐述了南黄海现代沉积环境和动力沉积体系特征, 对存在广泛争议的泥质沉积物形成机制进行了探讨. 南黄海陆架可分为弱动力(低能)沉积环境和强动力(高能)环境, 低能沉积环境进一步划分为气旋型和反气旋型涡旋两种环境;高能环境则分为高能沉积环境和高能侵蚀环境. 陆架低能环境发育了泥质沉积体系. 在南黄海中部, 受海域中尺度气旋型涡旋(冷涡)的控制, 发育了冷涡泥质沉积体系, 而在南黄海东南部受反气旋型涡旋(暖涡)控制则形成了反气旋型涡旋泥质沉积体系(暖涡沉积). 二者在粒度、沉积速率、沉积厚度和矿物学特征上有明显区别. 陆架高能沉积环境发育了砂质沉积, 集中分布在南黄海的西部、南部及东北部海区, 在高能侵蚀环境区分布着大量砂岩砾石. 高能沉积环境中原有的细粒物质(黏土、细粉砂等)逐渐被悬浮、搬运至低能区沉积. 还建立了气旋型涡旋和反气旋型涡旋泥质沉积作用模式, 对南黄海泥质沉积体系的成因给出了系统的解释.     

公路交通事故黑点总体特征分析

采用改进的事故频数法选取了江苏、安徽两省部分二级以上公路事故黑点,运用事故数及致死事故率2个指标对事故黑点数据进行统计分析.得出了公路事故黑点总体特征表明:公路事故黑点所占里程短、事故数集中,事故致死率略大于一般路段;各等级公路事故黑点在事故时间分布、季节及气候影响、事故的道路线形分布等特征方面具有相似性,在事故类型分布、事故形态分布、事故空间分布等方面又具有不同特征.     

原始社会不同类型的彩陶装饰浅析

对原始社会不同类型的彩陶文化进行剖析,研究其装饰纹样的构成和装饰手法的运用,从中体会原始时期人们对美的追求和感受.     

一类次二次Hamilton系统的次调和解的存在性

运用临界点理论中的极小极大方法得到一类次二次Hamilton系统的次调和解的存在性定理.     

环氧蓖麻油优化合成条件的研究

以环氧值为指标,通过正交试验法对环氧蓖麻油的合成条件进行了优选.结果表明,影响环氧蓖麻油合成的因素依次为温度、乙酸的量、时间、磷酸(催化剂)的量、双氧水的量.最佳合成条件为:反应时间2.5 h,温度60℃,蓖麻油∶磷酸∶乙酸∶双氧水(质量比)为1∶0.021∶0.25∶0.7.在此条件下,蓖麻油的环氧值为2.50(g/g).最后,采用FI-IR和TG/DTG方法对产品进行了表征.     

基于语音的微机控制报警器

提出了以8031单片微机和ISD2590语音芯片为核心的微机控制报警器的设计方法，介绍了ISD2590的特点和使用方法，阐述了系统的硬件设计和软件设计。     

科技创新与企业核心竞争力若干问题探讨

针对当前科技自主创新的趋势,及国外政府及企业科技自主创新特点,就我国科技自主创新与企业核心竞争力问题提出了若干思考.     

社会责任与合作治污对企业治污效用影响

结合湖域初始排污权配置背景,从多利益相关者合作角度构建了企业治污效用凸博弈模型,给出基于减排率差异性的CSR-企业治污收益模型、基于治污技术差异性的同行业企业间合作治污的PCTC-企业治污成本分摊模型。进而以太湖流域氨氮初始排污权配置为例,在求解多主体Shapley值的基础上,结合江苏省张家港市10家纺织企业数据进行实证研究。结果表明:CSR同企业减排率之间具有显著拟线性关系与倍增响应关系,对企业收益具有正相关影响;PCTC可有效减少合作企业治污边际成本,对保障合作稳定性、促进多利益主体合作具有积极作用;推广CSR与PCTC有助于提高我国工业企业参与排污权交易积极性,对推进湖域排污权交易机制构建具有重要意义。     

High-performance doping-free carbon-nanotube-based CMOS devices and integrated circuits

Ballistic n-type carbon nanotube (CNT)-based field-effect transistors (FETs) have been fabricated by contacting semiconducting single-walled CNTs (SWCNTs) using Sc or Y. The n-type CNT FETs were pushed to their performance limits through further optimizing their gate structure and insulator. The CNT FETs outperformed n-type Si metal-oxide-semiconductor (MOS) FETs with the same gate length and displayed better downscaling behavior than the Si MOS FETs. Together with the demonstration of ballistic p-type CNT FETs using Pd contacts, this technological advance is a step toward the doping-free fabrication of CNT-based ballistic complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices and integrated circuits. Taking full advantage of the perfectly symmetric band structure of the semiconductor SWCNT, a perfect SWCNT-based CMOS inverter was demonstrated, which had a voltage gain of over 160. Two adjacent n- and p-type FETs fabricated on the same SWCNT with a self-aligned top-gate realized high field mobility simultaneously for electrons (3000 cm² V^?1 s^?1) and holes (3300 cm² V^?1 s^?1). The CNT FETs also had excellent potential for high-frequency applications, such as a high-performance frequency doubler.     

解难题提素质促发展惠农村——记太原市科技局“千人百村千户活动”

从2009年7月开始,太原市科技局组织了1 000名农村科技特派员深入到太原市的100个村、1 000家农户中开展现场农业咨询服务、技术指导、实地培训,让他们享受到了真正的科技实惠……7月31日,太原市科技局对外通报了"千人百村千户活动"的进展情况.