多项式矩阵根及其应用研究

本文在引用源根表达多项式矩阵根基础上，介绍了多项式矩阵根的性质和多项式矩阵根的简便求法，并结合实例研究了多项式矩阵根在解题中的应用。     

远场涡流三维缺损响应的仿真研究

应用有限元方法，采用Ａ，Ｖ－Ａｓ－ψ位函数计算并结合三维场数值计算中的子结构－波阵法，给出了一种能在微机上对远场涡流的三维缺损响应的进行仿真的方法，同时重点研究了相同体积的周向和轴向缺损响应信号及管中涡流分布。研究结果表明，轴向缺损引起的涡流畸变小于周向缺损时的变化，故周向缺损响应信号大于轴向缺损的响应信号。     

多目标遗传繁衍样本策略的应用研究

提出了以最小误差平方和作为样本相似度,结合制约条件经验公式的多目标遗传算法进行样本繁衍的策略,并探讨了使用多目标遗传算法对样本进行重复繁衍,从而得到符合真实条件并与原始样本非常接近的仿真样本,以便与原始样本一起进行训练得到可用神经网络的方法。作为对该方法的验证,笔者使用这种方法在仅能获得43个样本的基础上,建立了一个用于预测爆炸密实法地表沉降量的神经网络模型,获得了良好的效果。     

硫化镉纳米粒子荧光淬灭测定柳氮磺吡啶

以硫代乙酰胺(TAA)与Cd2 在碱性溶液中反应制备了CdS荧光纳米粒子,该纳米粒子的荧光强度强烈的被药物成分柳氮磺吡啶所淬灭,建立了一种高选择性的测定柳氮磺吡啶的荧光分析新方法.结果表明,在pH值为11.2时,对于柳氮磺吡啶的检测下限可达到1×10-7g/mL,线性范围为5.0×10-7g/mL~1.0×10-4g/mL.方法已用于药片中柳氮磺吡啶的测定.     

无溶剂4,4''-联吡啶高选择性亲核取代反应

通过固相熔融的方法,使4,4′-联吡啶与磺酸酯或苄溴进行反应.结果表明,将反应固体混合物加热到融化, 在30 min内完成反应.通过控制反应物的投料比,可以高选择性的产生单取代或双取代 4,4′-联吡啶衍生物.当4,4′-联吡啶与磺酸酯或苄溴摩尔比为1.0∶2.1时,生成双取代产物, 收率近100%;当摩尔比为10∶1.0时,生成单取代产物,收率达90%.     

掺锰钙钛矿系统中外磁场与转换温度的关系

用渗流模型研究了(La1-xBx)2/3Ca1/3MnO3系统由顺磁性向铁磁性转换过程中外磁场与转换温度的关系.在平均场理论中,电阻是外磁场和温度的函数.研究发现:当外加磁场不太强时,转化温度随着外磁场的增加而线性地增加,理论上的计算与最近的实验观察相当符合.     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

模糊时间Petri网应用

本文在时间Petri网和模糊Petri的基础上提出了一个新的模型——模糊时间Petri网.在给出定义之后,并利用该模型的对一个简单的实例进行了分析,得出了利用模糊时间Petri网可以充分的利用资源,极大的提高了资源的利用率.     

基于有机分子亚铁磁体棱型自旋链外场下的热力学性质研究

基于近来有机高分子亚铁磁体在试验上成功的合成，本文采用量子转移矩阵方法，研究一维反铁磁-铁磁自旋1／2棱型自旋链在外场条件下低温下的热力学性质．磁化强度在低温下随外场的变化出现台阶式的平台结构，并表现出三个临界外场值，反映了系统磁相互耦合作用与热力学波动间的相互竞争；同时磁化率在外场下呈现双峰结构，其来源于系统在外场下的能隙和长程序参量的变化．本文的数值结果表明该棱型链与自旋1-1／2海森堡链性质一致．     

基于输出反馈的广义双线性系统H∞容错控制

基于非线性系统H∞容错控制的概念,给出了实现广义双线性系统H∞容错控制的输出反馈控制器的存在条件和设计方法,保证设计的反馈控制器在正常情况下和存在执行器故障的情况下,都能使闭环系统渐近稳定,且闭环输入输出信号满足H∞性能指标。最后的仿真结果证明了结论的正确性。