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621.
介绍了杂多化合物的结构特征,量子化学计算的一般方法。通过INDO方法和Xα方法对〔SiMo4^VMo8^VIO48〕^8-的量子化学计算,表明Xα方法对杂多化合物的量子化学计算切实可行,效果较好。 相似文献
622.
Chen Yiming Cang Shuang 《燕山大学学报》1997,(1)
对一类广义多目标数学规划问题给出了相应的局部弱有效解、有效解、强有效解的二阶判定条件,以及在标准形式下的二阶充分条件 相似文献
623.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
624.
储煤场煤垛温度预报的仿真模型与计算⒇陈亚平徐礼华吴斌林蔚(东南大学动力工程系,南京210018)对煤垛内温度分布及变化规律的研究旨在及时准确地预报煤垛内的温度变化,以防患于未“燃”.用计算代替现场的实测,或结合少量的现场实测,可以节约大量的人力物力,... 相似文献
625.
根据空间一时间反演等价于正反粒子变换这一基本对称性,对多粒子体系的定态薛定谔方程作了一个相对论性的修正——方程在质心系的本征值不再简单地等于结合能的负值了.对此方程的可能应用以及关于狭义相对论的本质问题,也作了进一步的讨论. 相似文献
626.
实验采用光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察,在光子能量略低于GaAs带边的地方,光生电压谱出现了一个峰,通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响,指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至ZnSe导带底的过程,表明ZnSe/GaAs异质结的能带排列属于错开型,并得出在温度小于70K的低温下ZnSe/GaAs异质结导带偏移值为150meV± 相似文献
627.
利用复模态的矩阵摄动理论,分析一般粘性阻尼系统的模态频率和复振型对结构质量、刚度及阻尼修改的灵敏度特性,从而阐明选择结构摄动修改方案和最灵敏位置的一般原理,减小了复杂结构动态特性修改设计的计算量。通过对RDT-1试验台动态特性的摄动分析计算,获得满足试验台工作特别要求的动态特性的结构设计方案。 相似文献
628.
应用最优控制理论和Lagrange插值建立了任意回转面三元叶片的平面叶栅优化设计的数学模型。用小波理论求解此模型得到一批数值结果。结果分析表明小波方法较传统方法更加有效。 相似文献
629.
介绍了牵引传动的三要素-输入载荷的运动表面;传动介质及输出载荷的运动表面的设计理论及方法。 相似文献
630.
介绍了基于颗粒布朗运动信号测定颗粒粒度的理论依据和方法;颗粒位置信息法和颗粒速度信息法。 相似文献