Co(Ⅱ)配位超分子的水热合成、晶体结构及光物理性能

采用水热方法合成了1个Co（Ⅱ）配合物[Co（p-Cl-C6H4COO）2（phen）（H2O）2].通过单晶X-射线衍射确定了该化合物的分子结构.结构分析表明,该配合物是由分子间氢键将分子连接成一维氢键链,相邻的一维链间通过π-π堆积作用将1D链伸延成2D结构.采用表面光电压光谱（SPS）及场诱导表面光电压光谱（FISPS）技术研究了配合物的表面光伏性能.结果表明配合物在300-600 nm范围内呈现出正的表面光伏响应.同时对该化合物的UV-VIS-NIR和IR光谱进行了测定和分析指认.     

钒(Ⅳ)配位超分子的合成、晶体结构及光电性能

采用水热方法合成了V(Ⅳ)配合物[VO(phen)(C2O4)(H2O)],其结构经单晶X-射线衍射测定.结构分析表明化合物中存在着丰富且相互平行的氢键,从而将配合物分子网联成1D配位超分子.采用表面光电压及场诱导表面光电压技术研究了配合物的光电性能.结果表明,该化合物在300～800 nm范围内有较强的光伏响应,且呈现出P型半导体的特征.此外,讨论了化合物的UV-VIS-NIR及IR光谱.     

广义可构造序列的两个数论函数均值的研究

目的 研究数论专家F.Smarandache教授提出的一个广义可构造序列数论函数均值问题。方法 利用初等方法对其进行研究。结果 给出了几个有趣的渐近公式。结论 发展了F.Smarandache教授在《Only Problems,Not Solution!》一书中涉及的相关研究工作。     

可构造序列数字之和函数的r次均值

研究一个由数字"1,2"构成的可构造序列,运用初等方法给出关于此构造序列的第n项各位数字之和函数r次均值的一个有趣的渐近公式,从而对这个构造序列有了进一步的认识.     

FGD石膏煅烧过程中汞释放特性研究

研究了空气气氛在40 ℃/min的升温速率条件下,4种FGD石膏加热过程中汞的释放规律,探讨以FGD石膏为原料生产石膏产品的煅烧和加热工艺过程中汞的再排放特性.研究结果表明,汞析出的主要温度段是200 ℃～400 ℃段,随着温度的继续升高,汞析出量逐渐下降;进一步对汞的析出形态分布进行了探讨,表明FGD石膏加热过程中,零价汞(Hg0)的释放量通常高于二价汞(Hg2+).     

虚拟分离声源空间去掩蔽的初步研究

提出一种使用耳机虚拟声重发的实验方法,研究了掩蔽和被掩蔽声源在水平面空间分离时的前向掩蔽效应,并将此情况下的掩蔽值与声源在同一位置时的掩蔽值进行了比较．结果表明,虽然在0°和±30°声像位置,掩蔽阈值均随掩蔽声的声压级增加而增加,但确实观察到空间去掩蔽现象．最大的去掩蔽值高达15dB．这种空间去掩蔽现象可主要归结于较优耳的贡献．     

面向功耗优化的片上存储器分配策略

综合考虑程序的数据块、全局变量、指令块,运用ECFG分析程序中对象间关系引发的容量和功耗影响,并考虑由于指令跳转带来的影响,最终结合ILP采用细化后的Knapsack算法,提出一种针对功耗优化的SoC片上存储器分配策略.仿真结果表明,采用该方法,存储子系统功耗可显著降低,一般达50%左右,最大可达95%以上.     

关于r次可加补数的一些复合函数的均值性质

运用初等方法,研究了关于正整数n的r次可加补数函数ar(n)与一些数论函数的复合函数的均值问题,给出了相应函数均值估计的渐近公式.     

基于能量特征的左右手运动想象脑信号的识别方法

提出了一种基于能量特征的左右手运动想象识别方法,利用快速傅里叶变换分析特定脑电(μ波和β波)的频率分布,然后利用小波分解去噪,再利用小波包分析脑电能量,提取能量特征,最后基于支持向量机(SVM)进行左右手运动想象的识别。本文把能量作为特征的支持向量机(SVM)识别法分别与自适应自回归系数法(AAR)和相同步分析法进行比较。仿真结果表明:在相同样本数据情况下,能量特征作为特征向量的SVM识别准确率明显高于其他2种方法。     

V—O配聚物的研制及表面光电压

采用水热法合成了1种V(Ⅱ)/V(Ⅲ)混合价态的V—O配聚物[(V2+)2V3+(0.5O2)10O6.2H2O]n通过单晶X-射线衍射确定了该配聚物的分子结构.结构分析表明,该配聚物是1个完全由O原子桥连而成的具有2D结构的V—O配聚物.采用表面光电压光谱(SPS)技术研究了配聚物的表面光伏性能.结果表明配聚物在300～800nm范围内呈现出正的表面光伏响应.此外,对该配聚物的UV-Vis-NIR及IR光谱进行了测定和分析指认.