开都河大山口至焉耆河段洪水过程的演算

开都河出山口后两岸人口密集，下游焉耆段又穿过市区，开都河频繁的洪水时常危害着两岸人民生命及财产的安全。是巴州地区的重点防洪流域。现通过多年洪水资料分析，用多因素情况下的线性特征河长连续演算法，推求大山口至焉耆河段的洪水过程。用上游站的洪水过程，演算预报下游站的洪水过程和洪水要素。     

基于香豆素的高选择性铜离子“Turn-On”型荧光探针

以香豆素为母体和2-肼基-3-氯吡啶合成荧光探针TM 1,其结构经过核磁碳谱、氢谱以及质谱测定.在激发波长为318 nm时对探针TM 1进行铜离子荧光测定,结果表明,该探针对铜离子的选择性高、响应速度快、检出限较低.并且在铜离子浓度为0～45μmol/L范围内,其荧光强度与铜离子浓度呈现出良好的线性关系(y=18.97x+166.09,相关系数R~2=0.989 9,检出限LOD为39 nmol/L).该方法简便快速、准确度高、灵敏度高,探针TM 1可用于检测铜离子的含量.     

基于创新人才培养目标的农业水利工程专业教学改革与实践

创新人才培养是国家人才发展战略的核心任务之一,是高等教育教学改革的重要目标之一。文章通过分析农业水利工程专业教学过程中教学方式陈旧、课程考核方式简单、学生创新能力不足等问题,提出向“学生为主体”教学目标转型的新思路,开创“跨专业课程教学团体”师资队伍建设的新局面,构建“加强实践教学”课程结构改革的新模式,建设“注重科研训练”教学方式改革的新体系,创新“学习能力培养”教学内容改革的新方法,开发“多元创新开放”教学实践改革的新应用,为创新人才培养目标背景下的专业教学改革与实践提供新参考。     

大锻件均质化构筑成形研究进展

大锻件是重大装备的核心部件,在国家安全、国民经济中发挥不可或缺的作用.大锻件常采用百吨级铸锭制备,由于金属凝固过程的尺寸效应,大铸锭内部常存在宏观偏析、缩孔疏松等缺陷,严重影响锻件质量,这已成为世界性难题.中国科学院金属研究所在国际上率先发明金属构筑成形技术.该技术以多块小尺寸均质化板坯作为基元,通过表面活化、真空封装、高温形变等手段,使构筑界面与基体在组织和性能上完全一致,进而获得大锻件所需均质化母材,实现"以小制大"的新型制造.本团队通过深入研究构筑界面的组织演化及结合机制,发现了界面氧化物的自分解现象,同时研究了结合界面的动态再结晶机制,进一步完善了界面的愈合机理.该技术已在水电重110 t合金钢主轴、核电φ15.6 m不锈钢支承环等构件上应用,对于推动我国高端装备快速发展,保障核心部件的自主可控发挥了重要作用.     

虚拟手术仿真器技术

虚拟手术仿真器是虚拟现实技术在医学上的一个重要应用。本文较为全面地论述了虚拟外科手术仿真器的研究发展概况,对其需求和关键技术进行了分析,重点讨论了虚拟人体器官组织物理模型的构造技术,为下一步开展虚拟手术仿真器的研制工作打下了研究基础。     

一种于基于有限元的形变模型算法

针对实时虚拟手术仿真中的弹性形变特性,本文提出了一种新的算法,该算法考虑到虚拟手术中存在的特殊情况,在形变模型的实时交互性与精确性之间取得了良好的平衡,模型的实时交互性是通过进行预处理实现的,此时响应操作的实时形变计算得到加速,模型的精确性则来自于基础算法有限元法的精确性。     

GPS精密授时系统在煤矿微震监测定位中的应用

GSP授时系统具有技术先进、性能优良、安全可靠、维护管理方便等优点,价格越来越低、性能越来越好,因此在许多领域得到广泛的应用。分析了煤矿微震监测定位系统的组成和GPS授时系统在煤矿微震监测定位系统局域网中的作用,讨论了GPS同步系统的实现方式及精度要求,并进一步分析了该系统在矿震预测中的市场前景。     

综采工作面末采顶板控制技术

三交河煤矿为山西焦煤霍州煤电集团的一个年产300万吨的大型矿井,矿井内共四个采区（三、五、六、下组煤,其中三、五、六采区为平硐开拓）。2个采区负责全矿生产任务,每个生产采区内布置一个回采工作面,即全矿共两个回采面。其中,五采区由于煤层较厚（h=4m）,为大采高采区,工作面为大采高工作面,即504回采工作面。根据生产要求,现做出2-504工作面回撤期间回撤工艺及支护技术,如有不妥之处,请给予批评指正。     

基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。