a—Si:H太阳电池的RBS技术分析

用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消除这些杂质后,a—Si:H大阳电池的性能和稳定性得到改善。     

硫酚自组装单分子层修饰金电极的电化学特异性及其应用

近年来,采用“LB”膜和分子自组装技术在电极表面形成的高度有序的单分子层化学修饰电极,由于能在电极表面建立特定的化学微结构而引起人们的关注.用饱和烷烃巯基化合物通过Au-S键在电极表面形成稳定、高度有序的自组装单分子层已有不少报道.本文研究了不饱和巯基化合物硫酚(TP)在金电极表面自组装形成的单分子层修饰电极(Au/TP)的电化学特性;循环伏安和交流阻抗的研究表明Au/TP表现出和阵列微电极相似的电化学特性;探讨了Au/TP电极在复杂电极反应机理的研究及快速电极反应速率常数的测定等方面的应用.     

用表面裂纹法研究表面强化层的疲劳裂纹扩展抗力

本文采用表面裂纹法研究了碳氮共渗、氮化及滚压强化层的疲劳裂纹扩展抗力。与常规的紧凑拉伸试验法相比，前者能灵敏地反映出表面强化层组织及性能的影响，后者却难于实现。试验证实碳氮共渗层中由于残留奥氏体应变诱发马氏体，导致疲劳裂纹扩展抗力提高；滚压强化及渗氮均能提高表面压应力，也使疲劳裂纹扩展抗力明显提高。     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

非完整复曲线的坐标计算

复曲线两交点间未设置基线而采用两圆曲线的切线交叉连接,是高速公路中较特殊线路形式.本文通过对非完整复曲线的分析、研究,介绍了在进行此类复曲线放样前所用的坐标计算方法.     

一类新遗传算法

针对标准遗传算法(SGA)收敛速度慢和早熟的缺陷,从生物学和人类社会学得到启示,在每一代完成遗传操作后引入一个学习过程;从模式的角度出发提出学习概率的确定原则并确定了其计算方法.实现了进化过程中同代个体之间相互竞争与学习的结合.采用惯用的测试函数进行比较研究,仿真结果表明此算法提高了SGA的全局收敛速度,克服了早熟的缺陷,且在群体规模较小的情况下仍然能够达到全局最优,具有较好的寻优能力和一定的现实意义.     

基于网络流量自相似的DDoS攻击检测方法

分布式拒绝服务攻击(DDoS)是目前黑客经常采用并极为有效的网站攻击手段。本文在验证局域网流量具有严格自相似性的同时,介绍了常用的Hurst参数计算方法。通过大量实验研究了DDoS攻击对Hurst系数产生的定量影响,并在实验数据分析的基础上,提出了攻击发生和结束的准确判据。实验结果显示,该方法性能良好。     

N个不同部件并联可修系统可用度的分析

N个不同部件并联可修系统可用度分析十分复杂。在一定的条件下 ,本研究建立马尔可夫系统状态概率转移图及其方程 ,从而可对N个不同部件并联可修复系统进行瞬时可用度分析和稳态可用度分析。其分析结果同样适应N个相同部件并联可修系统可用度分析。     

从教师的角色转换看教学行为变化--略谈教师与研究性学习的实施

开展研究性学习着眼于学生学习方式的转变,但着手点却是改变教师教的观念和行为方式.教师在研究性学习中如何审视、定位自己的角色,如何进行教学与指导,是研究性学习能否有效实施的关键.探讨教师在研究性学习中的角色定位与教学行为策略,有利于促进教师真正走进并有效地指导研究性学习.     

P型双偏心式提前器工作能力的研究

根据提前器的工作原理 ,建立了提前器工作能力的数学模型 ,分析了影响提前器工作能力的主要因素 ,计算了提前器飞块工作能力 ;根据计算结果 ,研究飞块重心及弹簧刚度、安装高度的变化对提前器工作能力的影响 ,为提前器的优化设计提供了理论根据