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61.
低聚二氧戊环二元醇离聚物的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
从乙二醇和三聚甲醛出发 ,合成了 1 ,3-二氧戊环 ,并进一步以 1 ,4 -丁烯二醇为起始剂 ,采用三氟化硼乙醚络合物为催化剂 ,合成了含双键的低聚二氧戊环二元醇 ,与亚硫酸氢钠进行加成反应得到了一种新型的低聚二氧戊环二元醇离聚物 .用红外分析、1 H- NMR和元素分析等方法对其结构进行了研究 ,讨论了合成条件对反应及产物的影响 相似文献
62.
一种角钢节点的自动设计方法 总被引:1,自引:0,他引:1
将节点处相连接的杆件按功能面进行划分,对每一个功能面根据其杆件的布置情况确定节点板的形状,将节点上所有节点板根据所在功能面的重要程度进行剪裁和组装,完成节点设计。 相似文献
63.
64.
铜在鸭跖草细胞内的分布和化学形态研究 总被引:14,自引:0,他引:14
运用差速离心法和化学试剂逐步提取法分析了Cu在鸭跖草Commelina communis根、茎、叶的亚细胞分布及贮存形态.结果表明,细胞壁是鸭跖草根中Cu结合的主要位点,其次为含核糖核蛋白体的细胞溶质部分,而在叶中,Cu主要分布在含核糖核蛋白体的细胞溶质部分中,其次分布在含细胞壁部分;茎中,随着外界Cu浓度的提高,Cu向细胞壁部分的分配减少,而向含核糖核蛋白体的细胞溶质部分的分配增加.根、茎、叶中细胞核、叶绿体和线粒体等细胞器结合Cu量较少.在各种形态铜中,根部以去离子水提取态占优势,茎部和叶部,以去离子水和乙醇两种提取态占优势,其它结合形态的Cu在根中比例较低,在茎、叶中所占的比例有所增加,显示鸭跖草体内Cu的分布特征和形态特征与其耐性和富集Cu有密切联系. 相似文献
65.
软段模型化合物对聚氨酯型固体电解质的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
以聚氨酯、高氯酸钠盐和软段模型化合物为组分 ,制备了一系列的聚氨酯型聚合物固体电解质 .利用红外光谱、差示扫描量热、复阻抗谱等手段对该体系进行了表征 .结果表明 ,软段模型化合物对所研究的聚氨酯 /软段模型化合物 /高氯酸钠盐复合体系中离子 -聚合物间相互作用、玻璃化转变温度、离子电导率均有显著的影响 .软段模型化合物聚乙二醇 (Mn=1 0 0 0 )的加入会引起体系玻璃化转变温度和离子迁移表观活化能的降低 ,导致聚氨酯硬段的聚集 .随着体系中软段模型化合物含量的增加 ,该固体电解质的电导率相应增加 ,室温下最高可达 1 0 μS/cm. 相似文献
66.
采用密度泛函DFT/B3LYP方法对实验制备的高迁移率有机纳米线--烷基双脲键取代聚苯撑乙烯齐聚物(OUPV)的微观结构进行研究, 分别计算单分子结构、 二聚体分子间距离及三聚体的整体优化等, 并采用ZINDO和TD DFT方法分别计算单分子和聚集体结构的吸收光谱. 结果表明, OUPV分子间可形成被氢键互锁的“面
对面”π-π-堆积排列结构, 构成有利于载流子传输的通道, 在形成固体时, 由于该方向的分子间作用力较强, 因此体系易于生长为一维有机纳米线. 计算结果与实验数据相符. 相似文献
67.
合成了两个系列新的共聚酯,在此基础上,采用甲基丙烯酸单异氰酸酯作为封端剂合成了相应的紫外光固化网络材料.研究了共聚酯的组成及稀释剂(甲基丙烯酸羟乙酯,HEMA)的含量对聚氨酯材料的力学、降解性能的影响.结果表明,这类共聚酯聚氨酯材料具有良好的降解性能,HEMA的引入提高了材料的韧性,但使材料的形态结构变得不均匀,降低了材料的交联密度和降解速率. 相似文献
68.
移动计算中基于位序列的低延迟缓存失效方案采用最新值的一致性模型,在这个模型中,客户机必须总是访问数据项的最新值.当客户机不做缓存并且服务器总是广播最新值时,数据的一致性等级会自然提升.当客户机进行缓存时,必须采用一定的技术来维持最新值一致性.因此,在位序列方案的基础上,引人中间失效报告以及请求数据广播的方法大大降低了查询延迟,提高了带宽利用率,从而降低移动客户端的能耗. 相似文献
69.
本研究目的是探究平板硫化机对芳纶纤维纸热压的最佳工艺条件.芳纶纤维纸采用湿法抄造,后经平板硫化机进行热压,通过正交实验,采用紧度和抗张指数作为主要指标得出适宜的热压工艺条件.实验得到的最佳工艺条件为:热压温度260℃,热压压力18 MPa,热压次数2次,每次热压时间15 s.在此条件下制得的芳纶纤维纸紧度为0.686 ... 相似文献
70.
利用多弧离子镀技术沉积TiN涂层,并在空气中对该涂层进行了500~680℃范围内的氧化实验.通过SEM与XRD技术分析了实验制备的TiN涂层及其氧化产物的结构形貌,结果表明:多弧离子镀技术所沉积的TiN涂层表面较为粗糙,存在大量颗粒与凹坑;TiN涂层在空气中的氧化产物为TiO2,550℃时存在较轻程度的氧化行为,随着温度的升高,氧化作用加剧,在温度为650℃时TiN涂层氧化程度加深,但剥落并不明显,当温度超过650℃达到680℃,TiN涂层完全氧化,部分区域因为应力作用而发生严重剥落. 相似文献