MgxZn1－xSe合金的电子结构、光学性质和稳定性的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了闪锌矿MgxZn1－xSe合金的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果表明,闪锌矿ZnSe和MgxZn1－xSe合金都为直接带隙半导体,MgxZn1－xSe合金的带隙宽度Eg和形成能Eb分别可以由Eg＝1.30＋1.34x和Eb＝－1.48＋0.60x－0.27x2进行估计.同时,MgxZn1－xSe合金的价带顶主要取决于Se 4p 和 Zn 3p态电子的相互作用,而其导带底则主要由Zn 4s、Zn 3p 以及Se 4s态电子共同决定.此外,随着镁掺杂系数x的逐渐增大,MgxZn1－xSe合金的静态介电常数逐渐减小,而其吸收谱则出现明显的蓝移现象.研究结果为MgxZn1－xSe合金在光电探测器方面的应用提供了重要的理论指导.     

PCR芯片中微腔室高度及加热器结构优化设计

对PCR扩增芯片中微加热器的传热及微腔(DNA反应液腔)室的高度优化问题进行了有限元分析,通过ANSYS软件模拟分析了单蛇形、双蛇形以及双螺旋形等典型结构微加热器的温度场分布,分析了不同腔室高度PCR芯片的温度场分布,重点探讨了不同微加热器结构、不同布线规律对PCR芯片微腔室温度分布均匀性的影响,PCR芯片中DNA反应液厚度与芯片上下表面温差的关系.仿真结果表明:均匀加热器比非均匀加热器温度分布均匀性更好;双螺旋形加热器较单蛇形与双蛇形加热器更能满足实际需要;DNA反应液厚度与芯片上下表面温度差之间具有良好的线性关系.同时根据分析结果得到了所设计的具有电极均匀分布双螺旋微加热器的PCR芯片微腔室最佳高度为340μm,能很好满足片上PCR芯片扩增所需的温度环境条件.     

基于PCI总线的光栅传感器位移测量系统设计与实现

针对通用的光栅传感器位移测量系统存在性能不稳定、抗干扰性不强等问题,介绍了一种基于PCI总线的光栅传感器位移测量系统的设计方法,系统采用CPLD对光栅传感器的信号进行处理,采用CH365完成PCI总线的接口电路设计.通过测试,系统的分辨率为0.1 um,精度为±1 um,性能指标达到了预定目标,该系统已经成功运用到某型号的坐标测量机中.     

基于PIC16F716的多功能变频治疗仪的设计与实现

设计了一种基于PIC16F716单片机实现红外遥控的多功能变频治疗仪.介绍了该多功能变频治疗仪的工作原理、PIC16F716芯片的特征,以及利用该芯片实现治疗功能的硬件电路基本构成.实验表明,该系统具有智能化、小巧轻便、易于携带、治疗剂量易于量化等优点.     

基于PCA和SVM的人脸识别技术研究

从人脸图像特征提取和分类器构建两方面分析了人脸识别系统设计的关键点,提出了以主成分分析技术和支持向量机技术相结合构建人脸识别系统的策略,同时在主成分分析技术的理论基础上提出了一种快速PCA算法.通过实验系统在ORL人脸库上的测试结果,分析了该系统的相关参数和特征向量维度的选取对系统识别率的影响,并得到了其最优解.同时,通过实验证明了所提出方法在小训练集下的识别率优于其它一般方法,其识别率比一般的人工神经网络法提高了7%~10%左右.     

多模模糊PID控制

介绍了一种能对延时系统控制的多模模糊PID控制算法,多模模糊控制算法的优点集经典的PID控制算法,开关控制算法,预测Fuzzy控制算法的优点于一体.能达到很高的控制精度和比较好的稳定度性和上升特性.     

宽带直流放大器的设计

宽带直流放大器在无线通信领域,尤其是发射机的末级有重要的用途.通过各种方案的比较,系统采用运放0PA690作为前级和中间级放大,输出级采用±15 V供电的视频运放AD811,辅以相应的偏置电路和程控可调电阻实现增益的调节,以单片机MSP430为控制核心;设计出电压增益Av范围为0～60dB,最大输出电压有效值V0≥10V,3dB通频带为0～10MHz的宽带直流放大器.人机接口采用红外遥控及LCD液晶显示器,控制界面直观、简洁,具有良好的人机交互性能.     

扩展基于STC单片机高速A/D转换的设计

为了实现高精度、高速度、低成本的A/D转换,提出了利用STC12C5A32S2单片机新增的功能实现模拟信号到数字信号的转换,并把转换的结果信号显示在液晶显示屏上.以便研发人员对其数据进行分析和利用.介绍了电路的以及各芯片与单片机的接口技术.阐述了STC单片机的特殊功能、液晶屏LMB202DDC显示方法以及软件设计流程和关键代码,并用Proteus显示了电路的仿真结果.     

基于Simplorer的锁相环电路建模与仿真分析

提出了一种基于Simplorer7.0实现锁相环电路的仿真分析方法,通过对锁相环电路进行数学分析,采用VHDL-AMS语言对鉴相器、环路滤波器、压控振荡器等进行行为级建模,在此基础上,架构了锁相环模型,并对其进行分析.从仿真结果可以得出,利用VHDL-AMS对模型行为级建模,具有概念清晰、仿真简捷、高效.     

HgmSen (m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇的结构与光谱性质

本工作采用LANL2DZ赝势基组及B3LYP方法对HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇微观结构和电子性质进行了计算,并用含时密度泛函理论（TD-DFT）计算吸收光谱,得到了基态结构、电子性质、结合能、能隙和偶极矩等微观性质,分析了前线分子轨道特征、指认了全部简谐振动模式、吸收光谱性质。结果表明：当m+n=1~3时,以线型和角型为基态稳定构型,m+n=4~5时,环状为基态稳定构型,且HgSe2团簇分子较其它组成的团簇分子稳定性最强、结合能最大、能隙最小。HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇都有较好的电子供体和受体等活性部位,导电性良好。不同组成的各团簇的最大吸收波长λmax值呈现的规律性不强,但对于相同组成的团簇分子与其相应正负离子间,出现显著的红移或蓝移现象。本结果可为今后实验及应用研究提供重要理论参考,有助于深入理解实验现象的本质及更好认识大块凝聚物质的某些性质和规律。