电热隧道窑温场分析与模拟

利用热辐射原理,采用热平衡法对电热隧道窑的高温恒温区温场进行了分析和模拟.计算中将发热棒分解为无数微元发热面与烧结体进行热交换,依据辐射强度定律,建立了烧结体接收能量的数学模型,并用计算机进行了模拟计算.结果表明,依据模拟结果来优化硅碳棒的排布,可使结构设计更加合理,进而可以获得分布均匀的恒温区温场.计算结果已在窑炉设计中应用,实践效果良好.     

Co2O3掺杂0.85PZT-0.15PZN压电陶瓷的性能

研究了添加Co2O3对0.85PZT-0.15PZN陶瓷的压电和介电性能的影响.研究结果表明:随着Co2O3掺杂量从0增加到0.4%,介电损耗因子tanδ大幅降低,同时压电常数d33和介电常数εr降低.当添加质量分数为0.4%的Co2O3时,tanδ,d33,εr分别由未掺杂时的0.024,360 pC/N,1 100降低到0.003,220 pC/N,600.当添加Co2O3超过0.4%时,d33,εr,tanδ的下降趋于平缓;当添加Co2O3超过0.7%时,陶瓷的漏电流增加,难以极化.实验发现,添加质量分数为0.4%的Co2O3比未掺杂陶瓷的烧成温度降低了近100℃,并且形成了晶粒尺度在1.O～2.5μm均匀致密的陶瓷.     

B2O3对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]3+δ陶瓷微波介电性能的影响

研究了B2O3对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响.结果表明B2O3的掺人能使Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]3 δ(CLNZ)陶瓷体系的烧结温度降低160～210℃,谐振频率温度系数τf随B2O3掺入量增加,但烧结温度对其没有明显影响.在990℃.掺入质量分数为1.0 %的B2O3,陶瓷微波介电性能最佳:εr=33.1,Qf=13 700 GHz,τf=-6.8×10-6/℃;而且,掺入2.0%的B2O3,在940℃烧结4 h,能获得介电性能良好的陶瓷,其εr=31.4,Qf=8 700 GHz,τf=-5.2×10-6/℃.     

SrO掺杂对Ba6-3xNd8+2xTi18O54陶瓷性能的影响

研究了SrO掺杂对Ba6-3xNd8 2xTi18O54晶体晶胞参数及陶瓷微波介电性能的影响 .研究表明 ,对于不同的x值 ,Sr取代Ba存在不同的极限值 ,当x =0 .5时 ,极限值为 0 .110 ;x =0 .6时 ,极限值为 0 .0 4 8;x =2 / 3时 ,极限值为 0 .2 0 0 .超过这一极限 ,Sr将取代Nd .正是由于Sr取代的离子不同 ,而使晶体的晶胞参数呈现不同的变化趋势 ,因而陶瓷的微波介电性能也会发生相应的变化 .     

基于COM模型的声表面波滤波器仿真和设计

介绍了基于耦合模(COM)模型的声表面波(SAW)器件的仿真方法,并将这种仿真方法分别运用于模拟简单和复杂SAW器件.在此基础上,进行了SAW滤波器的设计研究:首先设计了一个中心频率与梯形滤波器相同或相近的纵向耦合双模谐振器型滤波器(DMS),然后将梯形滤波器与DMS滤波器进行多种方式的级联,并对级联后的器件进行模拟分析,最后通过比较得到性能较好的高带外抑制RF滤波器.     

LaMO_3-AB_2O_4复合陶瓷材料及其复合机制的研究

研究了钙钛矿型 (ABO3 )陶瓷与尖晶石型 (AB2 O4 )陶瓷材料的复合机制 ,实验发现 :钙钛矿型陶瓷与尖晶石型陶瓷材料以一定的比例进行复合 ,在高温烧结过程中有离子迁移发生 ,离子迁移主要在B位间进行 .复合体电导率与离子迁移后所形成的结构状态有关 ,当复合体产生高电导结构时 ,复合体电阻率降低 ,反之 ,电阻率增高 .     

高性能钛酸锶钡PTC材料的研究

本文在大量实验的基础上,对材料的烧结机制、晶界势垒、微观结构与宏观性能之间的关系进行了研究,获得了合理控制掺杂,最佳烧成等工艺条件,采用国内生产的较低纯度的原料,制作出高性能的PTC产品。     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

CdO-Sb_2O_3-WO_3系列线性热敏电阻材料的研究

本文详细研究了CdO-Sb_(2)O_(3)-WO_(3)系列(以下简称Cd-Sb-W系)线性热敏材料的晶型、显微结构、电学特征及烧结机理.文中在理论上分析了晶粒大小、导电特性不同的两相机械混合物的电导与材料组分的关系,提出了两相电导的物理模型,并进行了数学推导,计算数据与实验结果比较吻合.     

BaTiO_3半导瓷耐压与晶界电结构关系的研究

实验发现BaTiO_3半导瓷的耐电压特性,即使在材料的组分、晶粒的平均尺寸、常温电阻率以及低电压下测得的阻温特性均相同的情况下,仍存在相当大的差别。这种现象用Daniels及Heywang模型均很难解释,本文提出的双势垒模型较圆满地解释了上述实验现象,为制备高耐电压,低常温电阻率的产品提供了理论依据。