大功率锆钛酸铅压电陶瓷A位置换的研究

为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对锆钛酸铅压电陶瓷材料进行了A位置换的比较研究.实验结果表明:采用摩尔分数为5%的Sr进行A位置换,制备的陶瓷具有较低的介电损耗和较优的压电性能;而采用摩尔分数为5%的Ba置换,陶瓷则具有较大的介电损耗.采用摩尔分数为5%的Ba和5%的Sr的复合置换,陶瓷能获得较好的综合性能,其性能指标tajnδ,Qm,KP,d33和εr分别为0.47%,2 065,0.515,322 pC/N和1 470,适合于大功率器件的应用.     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3无铅压电陶瓷制备及性能

研究了不同烧结制度下的NBBT6陶瓷的致密度、介电和压电性能.870℃左右预烧,可以得到致密且压电和介电性能较好的陶瓷(d33=107 pC/N.∈r=750,tanδ为3.23%).通过相应的粒度分析可知,提高预烧温度对粒度的影响不太大,但可用于湿法制备工艺中的原材料制备,解决湿法工艺中材料易被极性水分子解离而影响材料组分的问题.加入少量的BaTiO3到NBT中形成NBT-BT的固溶体,通过对压电介电性能及XRD的分析可知.当质量分数x=0.06时.(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3晶体结构出现由三方相到四方相的转变,此时的性能达到最大值(d33=114 pC/N,∈r=1 173.tanδ为3.4%).     

新型线性热敏陶瓷复合材料的设计与实现

通过对Ｂａ（Ｓｎ，Ｓｂ）Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３化合物的复合，设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构．由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征．通过调节Ｂｉ２Ｏ３的含量，可以方便地调节复合材料的室温电阻率．     

热敏电阻伏安特性自动测试系统

利用PC机通过RS－232C标准串行接口同智能万用表组成自动测试系统，通过并行打印接口控制外围接口电路，实现电压程序控制及通道自动转换，并实现了对热敏电阻伏安特性曲线的自动测试和自动数据处理。该系统能同时对10只热敏元件进行测试，各个通道具有单元单独击穿自动保护电路，程序VISUAL C＋＋6．0语言编写。     

水热法合成纳米晶SnO2的气敏特性研究

以锡粉和硝酸为主要原料,采用水热法合成了纳米晶SnO2粉体,研究了其厚膜元件对空气中低体积分数H,2S气体(2～100μL/L)的敏感特性.结果表明:170℃水热处理3～13 h获得的SnO2粉体结晶良好,呈四方相金红石结构,其X射线射峰宽化明显,颗粒尺寸为数纳米且分布窄.随着水热处理时间的延长,颗粒尺寸及结晶程度有所提高.170℃水热处理9 h得到的SnO2粉体颗粒尺寸约为4.4 nm.利用该粉体制作的厚膜元件晶粒细小均匀,晶粒尺寸约为10.0 nm.在最佳工作温度150℃下该元件对低浓度H,2S气体具有良好的响应一恢复特性,对50 μL/LH,2S的灵敏度为20.5,敏感体积分数下限低至2 μL/L,而对体积分数高至1 000μL/L的CO及CH4两种气体均不敏感.     

ZnO 玻璃系压敏电阻配方研究

研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料 一般在 8.0 %～ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高     

ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑制晶粒的生长，并使压敏场强Ｅ和非线性系数α值增加。Ｃｏ和Ｍｎ的添加使界面态密度增加，引起势垒升高，使非线性特性显著提高。     

PbCrO4—MgO湿敏电阻研究

对ＭｇＯ改性的ＰｂＣｒＯ４基湿敏电阻进行了研究．Ｘ射线衍射分析表明，随着材料中ＭｇＯ含量的增加，材料由疏水性ＰｂＣｒＯ４结构向亲水性Ｐｂ２ＣｒＯ５结构转变，从而使材料的湿度敏感性增强．另一方面，ＭｇＯ含量的增加使得晶粒变小，增强了微孔的毛细作用，因此使得该系列湿敏电阻在低、中湿范围内感湿灵敏度增大     

基于Windows98的电阻温度特性测试系统

目前P4CPU主板成为主流，P4主板上已不再有EISA接口槽，原来基于EISA槽的接口卡已不能使用。为此设计了基于并行打印接口的外围控制电路，首先由程序控制编码器编码，然后由专用解码芯片解码，从而实现通道转换。计算机通过标准RS－232串行接口同智能万用表和智能数字温控表通信，组成热敏电阻阻温特性曲线测试系统，由智能温控表进行控温，由智能万用表进行数据采集。程序由VISUALC 6.0语言编写，数据处理程序可供新老用户使用。     

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管的可靠性

采用脉冲激光沉积(PLD)工艺制备了Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管.对该二极管的I-V特性、电容保持特性、疲劳(fatigue)特性和印迹(imprint)特性进行了研究.结果表明该铁电二极管的I-V特性表现出明显的单向导电性,表现出类似于Schottky二极管的特性,电流密度在+4V电压下为6.7×10-8A/cm2,而在-4V电压下仅-5.3×10-10A/cm2,50℃以下该特性得以良好保持;撤除所施加的5V偏压后,经10h观察,电容仅变化5%,二极管具有较好的电容保持特性;在100kHz,5V双极方波加速疲劳下,107次开关极化以后铁电薄膜系统几乎没有显示任何疲劳,经109次极化循环,剩余极化Pr仅下降10%,矫顽电场Ec增加12%;200W紫外灯光辐照20min后,尽管剩余极化和矫顽电场均有所变化,并产生了电压漂移(voltageshift),但印迹优值因子FOM约0.2,二极管未出现印迹失效.