关于求解Stiff常微分方程具有参数的一类块方法

本文给出求解Stiff常数分方程含有参数的一类高阶块方法,并给出计算其绝对稳定域的算法.通过对参数的选取,改进了文中的方法的稳定性。对于K=3,4,5,6,我们构造出一类Stiff稳定的块方法,它们是具有很小的非稳定域.这些方法适合求解Stiff常微分方程组     

四堡污水处理厂排污管喷口研究

介绍了四堡污水处理厂排污入江管工程中应用的新型三口单向阀型自动喷口结构。叙述了排污量、开启度、喷口流速、阻力系数等水力特性。对喷口的安装施工以及喷口流速、开启度、喷口冲坑形状的现场检测也作了说明。     

鬼灯擎根茎中丹宁及多元酚类化合物的分离与鉴定（I）

采用室温组织破碎提取、闪蒸浓缩及ＤｉａｉｏｎＨＰ—２０和ＴｏｙｏｐｅａｒＩＨＷ—４０反复柱层析，从鬼灯擎根茎的７０％Ｍｅ＿２ＣＯ提取物中分离得到三种酚性化合物，称ＲＡ—Ｉ～Ⅲ，经化学反应及１￣ＨＮＭＲ，（１３）￣ＣＮＭＲ分析，确定该三种化合物分别是岩白菜素（ｂｅｒｇｅｎｉｎ，ＲＡ—Ⅱ，１），（＋）—儿茶素（ｃａｔｅｃｈｉｎ，ＲＡ—Ⅱ，２）和原花色甙元Ｂ—２单没食子酸酯（ｐｒｏｃｙａｎｉｄｉｎＢ—２ｍｏｎｏｇａｌｌａｔｅ，ＲＡ—Ⅲ，３）。ＲＡ—Ⅱ及ＲＡ—Ⅲ为首次从该植物中得到。     

高炉冷却壁温度场分布与热流强度的关系

本文阐述了高炉冷却壁在稳定状态下的温度分布的数值解析方法，分析了热流程度对铜冷却壁和铸铁冷却壁最高温度的影响。比较了铜冷却壁与铸铁冷却壁的优劣。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

触摸屏技术悄然兴起

早在五六十年代就已出现的触摸屏技术,目前在我国也已悄然流行。上海联想高技术公司开发的计算机多媒体处理技术,就已应用了触摸屏技术。用户只需按一下屏幕某个位置,就可呈现所需的图象、图形和文字,且伴有多种语音解说和悦耳的背景音乐。 可见,触摸屏是一种能对人的手指或其它物体触摸产生反应的设备。采用屏幕触摸方式,只要通过触摸屏幕上显示的光标、菜单或图形元素,     

贵州省农村人畜饮水现状分析及对策

本文着重对贵州人畜饮水的现状进行了分析，并研究缺水的主要因素及解决的规划，提出了设想和对策。     

长江下游陆生等足目研究（Ⅲ）

报导宜兴陆生等足目共６种，分别隶属４个科、５个属，其中三刺湖蟑螂Ｌｉｇｉｄｉｕｍｔｒｉｓｐｉｎｏｓｕｓｓｐ．ｎｏｖ．和列齿鼠妇Ｐｏｒｃｅｌｌｉｏｓｅｅｒａｔｕｓｓｐ．ｎｏｖ．两种为新种，并对其形态特征进行详细描述．     

二次型规划问题的进一步研究

进一步分析了求解二次型规划问题的神经网络方法，给出了这一方法的稳定性的可检验条件，并证明在这个条件下网络是全局收敛的，最后，给出了数值模拟例子。