VDMOS功率器件的优化设计与研制

讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.     

数据加密方法及算法简析

目前,随着网络技术的飞速发展,网络应用已深入到社会的各个领域,而INTERNET更是逐步走入千家万户。在这样一个网络信息平台上,人们迫切希望获得真实、安全、可靠的信患,数据加密技术必将成为在这一平台上保护信息安全的重要技术手段。本文主要简析了一些数据加密的方法和算法,给大家一些技术上的参考。     

既有线桥梁改建下穿式框构桥顶进施工及线路加固措施

某市公铁立交桥,是一座下穿既有铁路、修建年代久远的城市公铁立交桥.既有立交桥分为四孔,中间两孔为lp=12.0m钢混结合连续梁,混凝土桥墩,扩大基础;两侧边孔为1-5×2.5 m钢筋混凝土框构桥.桥下机动车道宽度为28.9 m,两侧非机动车道宽度为6m.按照市政道路改造要求,桥下机动车道扩宽后达到双向10车道37.5 m,需拆除既有桥梁,改建下穿式框构桥.为保证桥下机动车道改建后达到37.5 m的要求,跨机动车道采用两孔连续框构,全宽41.1 m;两侧非机动车道由两个单孔框构组成.立交桥全长61.16m,轴长42.3 m,净跨54.5 m(8.5+ 18.75+ 18.75+8.5).新建立交桥中心与既有立交桥、道路中心线一致.施工采用单体框构桥逐个预制、顶进到位,边拆除旧桥边顶进新桥的施工方案.本论述主要介绍该桥线路加固及顶进施工方法.     

智能温湿度测量控制系统的设计

本文介绍了一种以单片机AT89C52为核心的智能温湿度测量控制系统，包括硬件设计和软件设计，并给出了硬件电路设计原理框图和软件设计流程图。该系统性能可靠，结构简单，能实现对温湿度的自动调节。     

基因组学的未来

基因组学的真正起点,是1983年前后酝酿启动"人类基因组计划"的一系列公开讨论和会议,距今整整30年了。"国际人类基因组计划共同体"宣布人类基因组序列完成图的绘制结束是2003年,距今也已整整10年。10年沧桑也好,30年沧桑也好,"人类基因组计划"与基因组学研究发展所造成的巨变正在发生,影响着每一个人的生活。本期的特别策划文章就是深入介绍这沧桑和巨变的:从彻底解读一个人的基因组到有能力解读每个人的基因组。现在我们再来展望未来的基因组学与基因组生物学,谈谈这个基因组"新纪元"里生命科学发展的方向。首先是基因组学的研究方向,我们可以从基因组学研究的诸多"路线图"(用来描述学科发展前景的学科规划)说起。科学的根本目的就是要造福社会。基因组学研究在医学方向上的路线图是:基因组结构—基因组生物学—疾病生物学—医学科学—医疗保障。前两个是     

12位D／A转换器LTC1666响应用

本文介绍一种12位并行高精度D／A转换器LTCl666的功能特点和工作原理，并给出LTCl666与单片机STC89C52硬件接口电路以及软件控制方法。     

基于固定尺度椭圆与稳定相对不变点机制的图像局部不变区域检测算法

为了使图像局部不变区域与相对不变点具有稳定性;且可消除仿射变换对其检测算法带来的负面影响,并显著降低算法的信息量和复杂度,提出了固定尺度椭圆耦合稳定相对不变点选取机制的图像局部不变区域检测算法。将S变换引入到Canny算子中,获得S-Canny算子;将多尺度卷积方程融入到DoG算子,形成多尺度乘积DoG算子;将该算子耦合S-Canny算子,在图像上抽取出DoG角点;嵌入拟合技术,设计了特征方向确定规则;并根据该特征方向,定义了稳定相对不变点的提取机制;最后连接角点和相对不变点,构建直角三角形,建立固定尺度椭圆不变区域。实验数据显示:与其他算法相比,算法的区域具有很好的稳定性,可重复率性能最好,所耗时间最短;且具有很强的鲁棒性。     

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储-二极管的可靠性

采用脉冲激光沉积（PLD）工艺制备了Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管. 对该二极管的I-V特性、电容保持特性、疲劳(fatigue)特性和印迹（imprint）特性进行了研究. 结果表明:该铁电二极管的I-V特性表现出明显的单向导电性,表现出类似于Schottky二极管的特性,电流密度在+4 V电压下为6.7×10-8 A/cm²,而在-4 V电压下仅-5.3×10^-10 A/cm²,50℃以下该特性得以良好保持;撤除所施加的5 V偏压后,经10 h观察,电容仅变化5％,二极管具有较好的电容保持特性;在100 kHz, 5 V双极方波加速疲劳下,10⁷次开关极化以后铁电薄膜系统几乎没有显示任何疲劳,经10⁹次极化循环,剩余极化Pr仅下降10％,矫顽电场Ec增加12％;200 W紫外灯光辐照20 min后,尽管剩余极化和矫顽电场均有所变化,并产生了电压漂移(voltage shift),但印迹优值因子FOM约0.2,二极管未出现印迹失效.     

Au／PZT／BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性

采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了Au/PZT／BIT／p-Si结构铁电存储二极管.对其铁电性能和存储特性进行了实验研究.铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别约为15 μC／cm^２和48 kV／cm; 10^９次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降10%和增加12%;观察到源于铁电极化的CV和IＶ特性回线;电流密度+4 V电压下为6.7×10^-8 A／cm²; 在+2 V的读电压下,读“1”和读“0”电流有0.05 μA的明显差别;保持时间达30 min以上.     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 .