Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.     

高压 VDMOS场板终端技术的研究

采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入聚酰亚胺/SiO     

重视调研,实现大学物理与高中物理教学的有效衔接

贯彻、落实《理工科类大学物理课程教学基本要求（2008年版）》,必须处理好大学物理与现行《普通高中物理课程标准》框架下的高中物理教学的衔接问题,本文认为对教育形势进行动态跟综,对授课班级学生知识、技能的实际情况进行全面分析,是实现有效衔接的重要前提,并讨论了开展调研的原因、做法、作用。     

无砟轨道沥青砂浆大规模施工用泵送设备研究与应用

针对目前国内沥青砂浆中转多采用吊车吊运,施工效率低,干扰大,满足不了板式无砟轨道上大规模沥青砂浆施工的要求,本文对新发明的板式无砟轨道沥青砂浆大规模施工用泵送设备的构造和工作原理进行了说明,在分析相关泵送前后对比实验和工程实例的基础上对其工程应用进行了探讨。     

籼稻(Oryza Sativa ssp. indica)

水稻基因组序列中蕴藏着生理、遗传、发育、进化和与重要经济性状相关的许多生物学信息,籼稻亚种Oryza Sativea ssp.indica在中国和亚洲其他地方广泛种植,通过全基因组霰弹法,得到了这一亚种的基因组框架序列,共完成430万个成功反应,总读长为2214．9Mb,其中灿稻亚种93－11的成功反应有330个,总长1797．4Mb,初步接接得到了409．76Mb的非冗余序列,大约覆盖了水稻全基因组的95．29％,碱基准确率大于99％。通过与公共数据库中籼稻indica和粳稻japonica亚种的BAC克隆比较,证实了基因组框图的覆盖率、序列分布的随机性和拼接软件BIG－ASSEMBLER的准确性,在框架图中,鉴定了96．3％的全长cDNA,96．4％的遗传标记（STS,STR,RFLP）,94．0％的EST和94．9％的单基因簇（unigene）,初步分析表明,该框架序列已经达到了国际同行所认同的标准,框架图的公布无疑为水稻生物学研究提供了基因组学和遗传学方面的基本信息。     

基于扩展有限元的应力强度因子计算精度研究

应力强度因子(Stress intensity factor,SIF)是判断已有裂缝是否扩展的物理量,其计算精度对地裂缝扩展模拟具有重要影响.基于扩展有限元的互作用积分法是一种常用的计算开裂问题应力强度因子的方法,其数值积分中的权函数通常为平台型或金字塔型,但目前对权函数的选取以及权函数对应力强度因子计算的影响研究得很少.针对不同形式的权函数提出了统一的计算公式,并引入权函数因子来进一步控制权函数的具体形式;提出了非平台型的权函数的修正方法,以提高应力强度因子的计算精度;讨论了权函数因子以及积分区域因子对应力强度因子计算精度的影响,并通过算例进行了计算.结果表明,当积分区域因子为3～5,采用修正的权函数且权函数因子取1～3时,应力强度因子的计算精度最高.     

左旋卡尼汀对慢性心力衰竭患者心功能的影响

观察左旋卡尼汀对慢性心力衰竭患者心功能的影响。将42例慢性心力衰竭患者随机分为两组。对照组采用常规治疗,治疗组加用左旋卡尼汀治疗。治疗前后比较,左旋卡尼汀组患者的6min步行距离增加75m,对照组增加45 m;左旋卡尼汀组21例,心功能改善2级5例,改善1级14例,无明显变化1例,恶化1级1例;对照组分别为心功能改善2级3例,改善1级10例,无明显变化7例,恶化1级1例;左旋卡尼汀治疗组B型脑尿钠肽水平下降58.16 ng/l,而对照组下降33.29ng/l。左旋卡尼汀组治疗组LVEF升高5%,对照组升高2%。总有效率为90.5%,优于对照组的61.9%(P0.05)。无患者因严重不良反应退出研究。常规治疗的基础上联合应用左旋卡尼汀,可改善慢性心力衰竭患者心功能,提高运动耐量和心功能分级,并且安全性、耐受性良好,是临床治疗慢性心力衰竭的理想药物。     

Sol-gel法制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12铁电薄膜及其性能

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上制备Bi_3.4Ce_0.6Ti₃O₁₂薄膜. 利用X射线衍射仪和原子力显微镜对其微观结构进行了观察, 发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构, 而且表面平整致密. 对Bi_3.4Ce_0.6Ti₃O₁₂薄膜的介电、铁电、疲劳和漏电流等性能进行了研究, 结果表明: 室温下, 在测试频率1 kHz时, 其介电常数为172, 介电损耗为0.031; 在测试电压为600 kV·cm^-1, 其剩余极化值2Pr达到了67.1 μC·cm^-2, 具有较大的剩余极化值, 矫顽场强2Ec也达到了299.7 kV·cm^-1; 经过4.46×10⁹次极化反转后, 没有发生疲劳现象, 表现出良好的抗疲劳特性; 漏电流测试显示制备的Bi_3.4Ce_0.6Ti₃O₁₂薄膜具有良好的绝缘性能.     

LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3,Sr1/3 MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5V电压(电场约125kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec 分别为50.5μC/cm2和55kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．