荧光分光光度法测定薏米中的痕量锗

目的以荧光分光光度法为基础建立测定薏米中痕量锗的新方法。方法于0.1 mol/L的HAc~NaAc体系中,在溴代十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下,苯芴酮与锗形成橘红色络合物的最佳条件。结果当络合物的最大荧光峰在524.4 nm,Ge(IV)在1×10-2~1×10-3ng/mL范围内,F符合比耳定律。F=1.067 47C 0.521 0(r=0.995 6),C为Ge(IV)浓度(ng/mL),其标准偏差为2.25%。结论该方法灵敏度高,选择性好,用于薏米中痕量锗的测定,效果良好。     

人工神经网络在自密实混凝土抗压强度预测中的应用

针对传统BP神经网络的不足,采用不同改进算法的网络模型对自密实混凝土抗压强度预测进行了详细的分析.研究表明:采用变梯度算法的模型M1、P-B复位算法的模型M2、拟牛顿算法的模型M3以及LM算法的模型M4,这4种模型均成功地建立了自密实混凝土强度的非线性关系,可用于其强度预测;通过用MATLAB编写程序,为解决BP网络隐层节点数的不确定性提供了一种较为方便的途径.     

道路网络中门到门包含重复节点的最优路径算法

设计了用于包含交通约束的受限路网中基于兴趣点(PO I)的门到门包含重复节点的寻路算法。首先利用距离最短准则建立PO I和路网间的临时拓扑关系,然后根据受限路网中最优路径的结构特征,构造包含驶入路段的节点进行寻路拓展,以此为基础进行标记设定广度优先搜索,即可获得门到门包含重复节点的最优路径。在道路密度较大的北京市路网中的试验结果表明,该算法能够根据交通约束规划出实用的最优路径,对于长度约60 km路径的计算平均耗时在3 s左右,可以满足车辆导航应用的实时性要求。     

具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计

采用平面波展开法分别模拟设计了理想和带有点缺陷与线缺陷的二维光子晶体能带结构;进一步构建具有点缺陷和线缺陷联合结构滤波器,通过改变介质折射率、介质柱半径和背景材料折射率,使点缺陷的滤波中心波长处于光子晶体禁带中的1.31和1.55μm两个主要通迅波长.同时,采用时域有限差分算法模拟滤波器的传播和滤波频谱特性,结果显示,该结构滤波器的滤波频谱中心波长刚好分别位于1.31和1.55μm,透射峰尖锐,显现出优良的滤波特性.     

先秦儒家道德教育思想及其现实价值

先秦儒家道德教育思想是一份珍贵的历史遗产,蕴含着丰富的道德教育资源。分析了先秦儒家道德教育思想基本内容,阐明了其对于我们坚持“以德治国”的方略,构建和谐社会等所具有的现实价值。     

β-Ｄ-吡喃葡萄糖叠氮化物的合成及晶体结构

合成了β-Ｄ-O四乙酰基糖基叠氮化合物， 并得到单晶， 经X射线衍射方法解析， 其晶系属于单斜晶系，P2₁空间群， 其中a=0.759　6(6) nm,b=1.518　4(13) nm，c=1.641　2(14) nm，V=1.893　0(3) nm³，α=90.00°，β=90.045(1)°，γ=90.00° ，Z=2. 在晶体结构中， 六元糖环采取经典⁴C₁椅式构象， 糖环上所有 的取代基均以平伏键存在， 其中叠氮基不是以直线型结构存在， 呈现一定的弯曲现象.     

热分析技术在电子设备热设计中的应用

在传热学理论的基础上,介绍了Icepak的特点及求解过程.以笔记本电脑为例,利用Icepak软件对电子设备的计算域进行仿真,并对其进行了热分析,讨论了散热方式的选择和具体的热设计,最终使其满足温度控制的要求.     

国内外帆船运动流体力学研究进展

通过对国内外帆船动力性能研究的分析,发现我国现代风帆船的研究比较落后,但独具特色。武汉体育学院学者近年来针对帆板运动进行了板体和帆的试验研究,取得了很多重要的试验结果。国外进行帆船流体力学研究十分活跃,国外利用试验和数值模拟对帆船的船体水动力性能和帆的空气动力学进行了全面研究。研究结果表明,帆船流体动力性能研究对于帆船整体性能的提高有重要指导作用,我国学者在帆船流体动力性能研究方面还有大量工作需要做。     

不同伐区调查设计工艺(方法)效果研究

本研究对三元辖区内五个国有采育场29块主伐-皆伐伐区，采用五种不同处理的调查设计工艺（方法）进行伐区调查设计，结果表明：Ⅰ处理调查精度高，但基准成本高，调查效率最低，Ⅳ处理调查精度较高，基准定额较低，调查效率最大，Ⅱ、Ⅲ处理则界于前两者之间，Ⅴ处理虽基准成本最低，调查效率较高，但因精度太低，故不宜采用。从Ⅱ、Ⅲ处理误差率偏高和Ⅳ处理误差率偏低的倾向出发，为减少调查误差，降低设计成本，天然林主伐伐区宜选择“Ⅲ处理＋Ⅳ处理”进行调查，人工林主伐伐区可采用“Ⅱ处理＋Ⅳ处理”进行调查，既可达到优化设计水平又起到优势互补的作用。为兼顾调查精度和调查成本，首先应考虑在有一定精度保证前提下，可选择调查效率高的调查设计工艺（方法）。     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。