含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.     

Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制；正向偏压较大时，薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果．这一结论与样品的EL（electroluminescence）是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致．     

含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究

采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.     

EXCLE在缓和曲线中桩坐标计算中的应用

伴随现在工程测量技术的不断更新,施工测量工艺在也呈日新月异的变化,就线路测量来讲,外业放样现今主要采用全站仪进行,但全站仪放样的关键又在于线路中桩坐标的获得,为此,线路中桩坐标的计算尤其是曲线中缓和曲线中桩坐标的计算便成为放样工艺重中之重。如果在室内利用EXCLE编辑函数、计算功能算出线路坐标,再通过外业计算器进行检核便可有效保证施工测量必要的精度。本文拟通过对缓和曲线采用EXCLE计算线路中桩为例说明此方法应用的便利、准确、快捷。     

Au/(Si/SiO_2超晶格)/p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .     

Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。     

浅议同一水准网条件平差与间接平差处理之异同

测量平差是据最小二秉法原理,正确地消除各观测值之间的矛盾,合理分配误差,以求出观测值的最或是值并评定测量成果的精度.据不同条件下的测量问题,测量平差的方法也不尽相同.本论述试图以某水准网为例,分别采用条件平差、间接平差对各观测值最或是值进行计算,揭示两种平差方法对同一问题处理过程及结果之异同,以便引导学生在以后的测量工...     

非物理教育专业物理学实验课程教学内容和体系的改革

针对非物理教育专业物理学实验课程教学内容和体系存在的问题，提出了具体的方案，并在实施过程中取得了初步的效果。     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

镶嵌纳米碳粒和硅粒氧化硅膜的电致红光发射研究

Luminescence study from the silicon oxide films embedded nm carbon particles (CSO) and nm silicon particles (SSO) is of great importance in integrated optoelectronics[1]. The pioneering work on electroluminescence (EL) from the SSO was reported by Dimaria et al[2]. They attributed the light emission to band-band recombination of electron-hole pairs in nanosize silicon particles. This model is referred to as the quantum confinement model. In this paper,we deposit CSO and SSO films onto p-type Si substrate and study comparatively visible EL from the Au/CSO/p-Si and Au/SSO/p-Si structures.