芳胺取代嘧啶基薁类衍生物二阶NLO性质的DFT研究

采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G**方法,对一系列芳胺取代嘧啶基薁类衍生物的二阶非线性光学(NLO)性质和电子光谱进行了理论研究.结果表明,芳胺取代基位置的变化对分子的NLO性质影响较大,近直线型B类分子较近平面型A类分子具有更大的βtot值,尤其是当R为供电子基团时,分子表现出更好的NLO活性,以及适宜的透光性,可以作为潜在的NLO材料.含时密度泛函(TD-DFT)研究显示,较深层占有轨道与空轨道之间的电子跃迁对分子的二阶NLO效应有重要的贡献.