硅上硅化钛相变和生长动力学研究

用RBS及X线衍射研究了硅上钛薄膜退火时形成硅化物的相变和生长动力学。650℃退火形成TiSi_2相,TiSi_2层生长服从Kidon抛物线层生长规律。     

Fe~(57)14.4千电子伏γ射线默斯鲍尔效应研究的初步结果

1958年,默斯鲍尔发现,结合在固体中的原子核,当它发射或吸收γ射线时,原子核有一定的几率本身不单独受到反冲,而是和它相结合的晶粒整个获得反冲。在这种情况下,原子核反冲能量损耗极小。因此,所发射的这一部分γ射线的能量实际上就等于原子核激发能级的能量,它们的能量宽度就等于原子核能级的自然宽度。这种无反冲效应现在就称为默斯鲍尔效应。由于默斯鲍尔效应,不     

离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用

本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。