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MOCVD 生长的动力学模式探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释.应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式,并应用这个公式进行了计算,计算结果与实际生长时的参数接近. 相似文献
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通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系. 相似文献
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从光学传输矩阵出发,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响。 相似文献
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InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式 相似文献
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用化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛颗粒;利用X射线衍射和紫外-可见光吸收光谱分析法,重点研究氨水浓度和煅烧温度对二氧化钛纳米晶生长及其光学性质的影响.结果表明:氨水浓度的上升有利于纳米晶粒径的下降;煅烧温度的上升能促进结晶度的上升,同时煅烧温度和结晶度对粒径也有影响.随着粒径的下降,纳米晶的光吸收边蓝移.在得到颗粒的各项性质参数后,实验验证了普通日光灯下纳米二氧化钛颗粒的光催化抑菌性能. 相似文献
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在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义. 相似文献
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ZnSe是受重视的光学非线性材料,尤其是ZnSe-ZnS应变超晶格由于其室温激子效应,可望成为激子型,快响应速度的光双稳器件的理想材料。1989年我们在77K温度下首次观测到无腔的ZnSe-ZnS/CaF_2应变超品格的光双稳,随后又在室温观测到具有ps响应的 相似文献
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现代MOCVD 技术的发展与展望 总被引:9,自引:0,他引:9
MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代MOCFVD技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术,并对MOCVD技术的进一步改进和应用作了展望。 相似文献