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采用自制SMA同轴管壳和普通TO-18管过对同型同批的InGaAsPIN光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其C-V特性进行了测试比较,结果表明:与普通TO-18管壳封装相比,SMA同轴管壳封装器件电容减少~0.4pF,上升时间tr由85ps减至25ps以下,半高全宽FWHM由210ps减至85ps,等效-3dB带宽增至6GHz以上,瞬态特性显著改善。 相似文献
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