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本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~nexp(~-E/KT).对于干氧氧化,n和E分别为0.62和2.08±0.1ev;对于湿氧氧化,n和E分别为0.8和2.11±0.2ev.用S—450扫描电子显微镜对层错的生长过程进行了观察.热氧化长入硅中的层错分别在高温干氮气氛中和C_2HCI_3/O_2气氛中热处理时收缩、测得相应的层错收缩激活能分别为4.37ev和3.55ev.在干氧中加入洽当的C_2HCI_3氧化,可完全不产生氧化层错.在氧化前硅片用化学抛光处理或在干N_2中热处理能将层错密度降低2—3个数量级. 相似文献
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