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利用密度矩阵的方法研究了一种非对称量子阱的光学非线性,推导出了二次谐波解析表达式,最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算.数值结果表明,当非对称性增大时,可得到比较大的二次谐波,从而为实验上制作比较大的非线性材料提供一种可行办法. 相似文献
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