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利用有效场理论和切断近似,研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1/2和1的Blume-Capel模型的磁化.在M-T空间中,重入磁化现象出现在适当的晶场范围内,键稀疏的引入可在两个不同的晶场区出现重入磁化.在M-H空间中,磁化趋于零时临界磁场在整个晶场范围内表现出振荡行为.而键稀疏对这种行为有弱化作用,并导致磁有序区减小. 相似文献
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