排序方式: 共有74条查询结果,搜索用时 626 毫秒
1.
2.
本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。 相似文献
3.
主要讨论在局部凸线性拓扑空间上的(C0)类等度连续半群{T(t):t≥0}诱导的C0-半群拓扑意义下,{T(t):t≥0}的一些基本性质,以及(C0)类等度连续半群{T(t):t≥0}在C0-半群拓扑意义下以及原拓扑意义下的无穷小生成元之间的关系. 相似文献
5.
6.
7.
从水资源对社会经济发展的作用出发,采用向量模法对恩施州近5年的水环境承载力进行分析评价.研究结果表明,2007-2011年恩施州水环境承载力呈增加趋势,其值由2007年的0.302增加到2011年的0.6056,年平均增长率为19%,说明恩施州的水环境承载力能够满足社会经济发展的需要. 相似文献
8.
应用中心流形对一类含有二次和三次非线性项的Duffing系统降维,并数值模拟出其分岔图及Lyapunov指数图,对其进行分析,进一步研究其稳定性及分岔特性. 相似文献
9.
讨论了双连续n次积分C-半群与一类抽象柯西问题适定性之间的关系,得出闭线性算子A(次)生成双连续n次积分C-半群等价于相应的(ACP)是C-适定的。 相似文献
10.