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在同时考虑电子与LO声子及IO声子相互作用的情况下,用LLP正则变换的方法研究了半导体量子阱中双极化子的性质.给出了由于电子-LO声子及电子-SO声子相互作用而产生的诱生势,并且以GaAs/Al0.3Ga0.7As为例进行了数值计算.通过计算可得出如下结论:(1)双极化子的诱生势可以分为两部分,其中一部分仅与一个电子的坐标z1(z2)有关,另一部分则不仅与两个电子的坐标z1和z2都有关,还与两个电子间的相对距离ρ有关;(2)诱生势VIL(ρ)和VI,σ(ρ)的绝对值随着双极化子中两个电子间相对距离ρ的增加而减小;(3)由于电子与IO声子相互作用而产生的诱生势VI,σ(ρ)的绝对值随量子阱宽度N的增加而减小.本文方法适用于弱耦合和中耦合两种情况 相似文献
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