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制备了不同Al2O3厚度的Co/Al2O3/FeNi隧道结,并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加,TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时,磁电阻不再出现典型的双峰曲线,而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线,综合所有因素,在文中制备条件下,Al2O3厚度为4nm时,隧道结性能最好。 相似文献
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用磁控溅射法制备Zn1-xVxO(x=0,0.05,0.09,0.11,0.13,0.15)薄膜.研究光的透过率和光致发光谱(PL谱).发现随着V的掺杂量的增加,带隙变宽.PL谱上有一蓝光波带(400~480 nm),而且随着V的掺杂量的增加,发光强度增强. 相似文献
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理论计算H2分子在一维Pt链电极间形成的分子桥的伏安特性和电导,结果表明在两端金属电极作用下,H2分子的能隙减小,使得体系导电性能提高。 相似文献
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采用Gaussian98量子化学软件中的AM1方法,分别计算不同取代基下分子线的电子结构。通过对最低未占有轨道(LUMO)形状的分析,研究了不同取代基对分子线电子性质的影响。结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化,从而对分子线的电子输运产生了影响。 相似文献
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