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了解成人呼吸道感染患者急性肺炎衣原体感染的发病情况。呼吸道感染患者110例,同时采集痰和咽拭子标本,应用聚合酶链式反应(PCR)检测肺炎衣原体DNA及采静脉血检测肺炎衣原体抗体。本组患者17例(16%)有肺炎衣原体近期感染的急性抗体,12例(11%)痰和(或)咽拭子肺炎衣原体PCR检测阳性,联合应用两种方法的阳性率为23%(25/110例)。肺炎衣原体急性感染以哮喘急性发作、肺炎、COPD急性加重和急性支气管炎患者多见(分别为57%、35%、26%和25%),其临床表现无特征性。本组成人呼吸道感染患者肺炎衣原体急性感染的发病率较高,提示肺炎衣原体是呼吸道感染的重要致病原。 相似文献
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主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜. 相似文献
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锂-空气电池研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
锂-空气电池是通过金属锂与空气中的O2反应产生电能,它的理论比容量高达3828mAh/g,在电动汽车等领域展现出重要的应用前景。本文综述了近年来锂-空气电池领域的最新研究进展,对有机体系、有机-水混合体系与固态体系三类锂-空气电池的结构与原理进行了分析。总结了有机体系的多孔碳空气电极、催化剂、电解液等方面的研究工作。多孔碳的孔容是决定空气电极比容量最重要的结构参数,具有高孔容的多孔碳可以为放电过程中生成的氧化锂提供更多的储存空间,从而表现出高的比容量,多孔碳的比表面积与平均孔径对比容量也有重要的影响;合适的电催化剂可以有效的降低氧还原反应与析氧反应的过电压,从而提高能量效率;具有高极性、低黏度、低吸湿性、高溶解氧的电解液有利于改善电池的相关性能。总结了有机-水混合体系的隔膜、电解液等方面的研究工作。对有机相与水相电解液均具有良好抗化学腐蚀性的超级锂离子导通玻璃膜是目前有机-水混合体系研究的关键。总结了固态体系最新的研究进展。此外,展望了锂-空气电池领域今后的发展方向。 相似文献
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作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.国际上采用先进的材料生长手段和各种亚微米级以至纳米级的超微细 相似文献
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对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究.对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性. 相似文献
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苏州作为国内第一个建设城市轨道交通的地级城市,在轨道交通建设中十分重视工程风险管理,在1号线建设过程中全过程实施动态风险评估技术,通过开展工程建设现场风险管理,有效地控制了工程建设风险,为苏州轨道交通1号线建设安全提供了保障,同时,为国家其他城市轨道工程建设提供参考. 相似文献
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微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制. 相似文献
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对加固P+nn+高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。DLTS测量表明,脉冲中子辐照(Φn=8.6×1013n/cm2)在硅中引入的缺陷主要是双空位E4和E3缺陷,氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Frenkel对成份的增加,增加的空位密度致使复杂络合物,例如(O十V2)或(O十V3)缺陷的有效产生。实验结果还表明,该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位E2增加,这可能是V2O、V3O分解所致。 相似文献
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论及非典型肺炎(aqypical pneumonias, AP),必须先了解“典型肺炎(typical pneumonia, TP)”.通常临床上所说的肺炎是指由感染性病原体引起的肺组织炎症和实变.典型肺炎(即大叶性肺炎)是由细菌…… 相似文献