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廖梅勇 《中国科学:物理学 力学 天文学》2021,(2)
超宽禁带半导体β-Ga2O3的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga2O3薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga2O3在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路. 相似文献
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