晶体管的发明

一次谈话:寄希望于半导体1945年反法西斯战争胜利的前夕,美国贝尔电话实验室执行副所     

窄禁带半导体

所谓窄禁带半导体又称作窄能隙或窄带隙半导体.禁带宽度为多大才归入这一类,并没有严格界线.现在往往把导带底与价带顶之间的能量差相当于kT的室温(T=300 K)数值(0.026电子伏)的十倍,即禁带宽度为0.26电子伏或更小的半导体叫做窄禁带半导体.倘若禁带宽度为负值,也就是说导带与价带发生了轻微的重迭,则称为半金属.在窄禁带半导体与半金属之间还有一种零能隙材料。这三者在许多方面有着共同之处.     

红外物理与技术发展

经过长期探索，人们掌握了红外辐射的基本规律，不断研制出新型，优质红外探测器件，发展了红外光谱和红外成像等重要技术。并使之在当代许多领域，尤其在遥感，军事及其它高科技领域占据突出地位。